Транзисторы для электронных компонентов. Страница 77

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-225
• 350 V
• 0,5 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 375

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 600 V
• 16 А
• 32 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 55 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 30ns | ...

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT323
• 50 V
• 0,1 А
• 140
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 90 А
• 329 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 63ns | Время выключения: 142ns

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 40 А
• 277 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 370 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1100 V
• 30 А
• 166 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 180 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время выключения: 470ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 305 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 223 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время выключения: 193ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 152 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 193 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.35 | Время включения: 30ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 141 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 230 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.35 | Время включения: 50ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 198 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 160 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 28ns |...

• Другое
• MINICIR

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 600 V
• 30 А
• 94 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 165 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.4 | Время включения: 21ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 30 А
• 217 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 75 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.05 | Время включения: 21ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 15 А
• 100 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 92 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 310 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 211 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время выключения: 387ns

• Другое
• TI

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 25 А
• 70 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 35 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 18.5ns...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1100 V
• 50 А
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 195 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.6 | Время включения: 24ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1400 V
• 40 А
• 272 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 203.5 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 15 А
• 74 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 15ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 1000 V
• 35 А
• 63 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 275 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Время включения: 140ns |...

• Биполярные PNP
• ST
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 1 А
• 32
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 625 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 142 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 4.2 | Время включения: 28ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• I2PAK
• 345 V
• 40 А
• 176 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 49 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.15 | Время включения: 1.1µs | Время выключения: 26.5µs