Транзисторы для электронных компонентов. Страница 49

• On Semiconductor
• SOT23-5 Thin
• Биполярные NPN + PNP
• 50 V
• 100 V
• 3 А
• 6 V
• 380 MHz
• 1.2 Вт
• 200 - 560
• SMD

Примечание: Схема соединения: Общий эмиттер

• TO-252-4L
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 V
• 16 / -12 А
• 13.8 / -10 А
• 22 / 40 мОм
• 30 / 50 мОм
• 1 ... 3 V
• 11 W

Примечание: Схема соединения: Общий сток

• TO-252-4L
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 18 / -14 А
• 15 / -12 А
• 17 / 28 мОм
• 23 / 44 мОм
• 1 ... 3 V
• 11 W

Примечание: Схема соединения: Общий сток

• Shanghai Belling Co,Ltd.
• SOT23-6
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 V
• 6 / 6 А
• 16 / 16 мОм
• 0.5 ... 1.2 V
• 19 / 19 мОм
• 0.7 V
• 1.5 W

Примечание: Схема соединения: Общий сток

• NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
• TO-252-4L
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 V
• 12 / -8.8 А
• 8 / -5.8 А
• 26 / 47 мОм
• 39 / 76 мОм
• 1.7 ... 3 V
• 3 W

Примечание: Схема соединения: Общий сток

• FM
• TSSOP8
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 V
• 6 / 6 А
• 5 / 5 А
• 22 / 22 мОм
• 0.5 ... 0.95 V
• 26 / 26 мОм
• 0.75 V
• 1.98 W

Примечание: Схема соединения: Общий сток

• SO8
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 25 V
• -4.9 / -4.9 А
• 80 / 80 мОм
• -1 ... -2 V
• -1.5 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• SO8
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 V
• 5 / 5 А
• 42 / 42 мОм
• 1 ... 2 V
• 1.5 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• SO8
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 10 / -8.5 А
• 8.1 / -6.8 А
• 11 / 16 мОм
• 15 / 26 мОм
• 1 ... 3 V
• 2.1 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• ZETEX SEMICONDUCTORS
• SOT223-8
• Биполярные NPN + PNP
• 45 V
• 50 V
• 2 А
• 7 V
• 150 MHz
• 2.75 Вт
• 300 - 800
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые

• Vishay Intertechnology, Inc.
• SO8
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 7.5 / 7.5 А
• 6 / 6 А
• 17 мОм
• 24 / 24 мОм
• 0.8 ... 3 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• TECHPUBLIC
• SO8
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 6.5 / -7 А
• 5.4 / -5.8 А
• min 1 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• Rohm
• SO8
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 5 / -4.5 А
• 36 / 40 мОм
• 52 / 57 мОм
• 1 ... 2.5 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• On Semiconductor
• SO8
• Биполярные NPN + PNP
• 40 V
• 40 V
• 3 А
• 7 V
• 100 MHz
• 0.783 Вт
• min 200
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые

• NXP Semiconductors
• SOT23-6
• Биполярные NPN
• 45 V
• 50 V
• 0,5 А
• 5 V
• 100 MHz
• 0.6 Вт
• 160 - 400
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые

• NXP Semiconductors
• SOT1205
• Биполярные NPN
• 100 V
• 100 V
• 3 А
• 7 V
• 140 MHz
• 25 Вт
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые

• NXP Semiconductors
• SO8
• Биполярные NPN + PNP
• 60 V
• 60 V
• 6,7 А
• 5 V
• 110 MHz
• 2.3 Вт
• 75 - 500
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые

• MT
• SO8
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 5 / -5 А
• 24 / 50 мОм
• 35 / 70 мОм
• 1 ... 3 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• MT
• SO8
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 5 / -5 А
• 20 / 30 мОм
• 28 / 48 мОм
• 1 ... 3 V
• 2.5 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• Infineon
• PG-TDSON-8-4
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 20 / 20 А
• 20 / 20 А
• 12.5 мОм
• 17.6 / 17.6 мОм
• 1 ... 2.2 V
• 26 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• FM
• SO8
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 10 V
• 6 А
• 4.2 А
• 21 мОм
• 0.5 ... 1 V
• 26 мОм
• 0.75 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• Fairchild
• SO8
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 25 V
• -2.9 / -2.9 А
• 95 / 95 мОм
• 0.142 / 0.142 Ом
• -1 ... -3 V
• -1.8 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• Fairchild
• SO8
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 8.6 / 6.3 А
• 11 / 20 мОм
• 13 / 25 мОм
• 1 ... 3 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• Diodes Incorporated
• SOT23-6
• Биполярные NPN + PNP
• 60 V
• 80 V
• 1 А
• 7 V
• 180 MHz
• 1.1 Вт
• 100 - 300
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые