Транзисторы для электронных компонентов. Страница 195

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 319 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 262 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

Примечание: низковольтный

• ONS-FAIR
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 25 В
• 70 A
• 28 mOhm
• 330 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 5400 pF / 25 V | Заряд затвора: 175 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Huayi

• 220
• 100 В
• 20 В
• Huayi
• Другое

• Не указан
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 10 A
• 1 Ohm
• 50 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 135 pF / 25 V | Заряд затвора: 19.4 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

Примечание: низковольтный

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 12 A
• 0,8 Ohm
• 51 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 155 pF / 25 V | Заряд затвора: 24.15 nC / 10 V

• ONS-FAIR
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 18 A
• 265 mOhm
• 38.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2860 pF / 25 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Fair
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 12 A
• 540 mOhm
• 42 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1930 pF / 25 V | Заряд затвора: 39 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 25 A
• 0,21 Ohm
• 300 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3487 pF / 25 V | Заряд затвора: 64 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 160 A
• 3,2 mOhm
• 280 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 944 pF / 30 V | Заряд затвора: 139 nC / 10 V

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 11 A
• 20 A
• 500 В
• 250 W
• 30 В
• 80 A
• 76

• Infineon
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 50 V
• 50 V
• 10 V
• 130 МГц
• 30

• Ixys
• IGBT
• 600 V
• 75 A
• 60 A
• 2,5 V
• 380 Вт
• 115
• 300 А
• есть
• 70 нс
• 21 нс
• 100 н

• Infineon
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 50 V
• 50 V
• 10 V
• 170 МГц
• 70

• Биполярные NPN
• Sptech
• TO-3P
• 400 V
• 450 V
• 10 А
• THT

• Биполярные NPN
• TO-220ISO
• 4 MHz
• 400 V
• 700 V
• 12 A

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 188 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 90 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 45ns | ...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 40 А
• 280 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 165 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 42ns | ...

• IGBT
• INFIN

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 1200 V
• 90 А
• 385 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 157 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 25ns | ...

• Биполярные NPN
• Renesas
• THT
• TO-126
• 30 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60