Транзисторы для электронных компонентов. Страница 140

• 1.5 A
• 100 V
• 80 V
• Jsmsemi
• TO-126
• Биполярные PNP

• Другое

• 140
• 600 В
• 30 В
• ST
• Другое

• 140
• 150 В
• 30 В
• Infineon
• Другое

• IGBT

Примечание: Напряжение коллектор эмиттер (UCES), В 600 | Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А 60 | Максимально допустимый ток коллектора при...

• 2
• 30 В
• 12 В
• Alpha&Omega

• 56.8
• 40 В
• 20 В
• Wayon
• Другое

• 417
• 500 В
• 30 В
• ST
• Другое

• 0.7 A
• 180 V
• 160 V
• Биполярные NPN

• IGBT

• 7.8
• 60 В
• 20 В
• Vishay
• Другое

• 310
• 75 В
• 20 В
• On
• Другое

• 0.5 A
• 50 V
• 45 V
• Биполярные NPN

• IGBT

• 0.1 A
• 50 V
• 50 V
• Биполярные NPN

• 200 W
• 150 В
• 20 В
• Infineon
• Другое

• On Semiconductor
• TO-252
• Другое
• 60 В
• 50 A
• 20 В
• 65 W

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 15.5 | Полный заряд затвора, нКл: 15 | | Сопротивление сток-исток при 10V...

• Texas Instruments
• VSON-8
• Другое
• 100 В
• 20 В
• 231 A
• 3.2 W
• SMD

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 100 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id), А: 13 | Полный заряд...

• Vishay
• D-Pak (TO-252)
• Другое
• 100 В
• 31 A
• 10 В
• 42 W

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 7.7 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 4.9 | Полный...

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 483 Вт
• 1.85 V
• есть
• 180 А
• 180 А
• 152 нс
• 66 нс
• 57 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 117

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 100 V
• 100 V
• 5 V
• 8 A
• 75 Вт
• 750..15000

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 100 V
• 60 V
• 7 V
• 15 A
• 115 Вт
• 2,5 МГц
• 20..70

Примечание: Комплементарна пара: MJ2955

• On Semiconductor
• TSOP-6
• Другое
• 60 В
• 12 В
• 0.38 W
• SMD

Примечание: Тип канала и конфигурация: 2N | Напряжение пробоя сток-исток 2 канал (Ubrdss2), В: 28 | Максимально допустимое напряжение затвор-исток 2...

• Rohm
• Биполярные PNP
• 50 V
• 50 V
• 0.1 V
• 0.1 A
• 0.625 Вт
• 250 МГц
• 30

Примечание: Встроенное сопротивление (Rвбуд): 10k+10k | Маркировка на корпусе: 14