Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 8

• Cdil
• Біполярні NPN

• 300 MHz
• 0.8 A
• 60 V
• 30 V
• Cdli
• TO-18
• THT
• Біполярні NPN

• TO-92
• Біполярні NPN
• 45 V
• 50 V
• 0,1 А
• 5 V
• 150 MHz
• 0.45 Вт
• 200 - 600
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• TECHPUBLIC
• SO8
• Польові P-канальні
• 20 V
• 12 V
• -14 А
• -8.8 А
• 6.5 мОм
• -0.3 ... -1 V
• 9 мОм
• -0.6 V
• 2 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Si-Tech
• TO-220
• Польові N-канальні
• 70 V
• 25 V
• 90 А
• 57 А
• 2.4 ... 3.6 V
• 3 V
• 127 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• SINOPWER
• DFN5x6A-8_EP
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 V
• 55 А
• 35 А
• 5.9 мОм
• 7.7 мОм
• 1.5 ... 2.5 V
• 1.8 V
• 32.1 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Silan
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 V
• 2 А
• 1.3 А
• 2 ... 4 V
• 23 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• NCE
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 V
• 38 А
• 24 А
• 3 ... 4 V
• 3.5 V
• 36 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• NCE
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 V
• 21 А
• 13.2 А
• 3 ... 4 V
• 3.5 V
• 33.8 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jilin Sino-Microelectronics.
• TO-220
• Біполярні NPN + Diode
• 400 V
• 700 V
• 4 А
• 9 V
• 4 MHz
• 75 Вт
• min 5
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-126
• Біполярні NPN
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 90 MHz
• 1.25 Вт
• 160 - 320
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Crmicro
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 V
• 31 А
• 20 А
• 2.9 ... 4.9 V
• 26 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Crmicro
• TO-220
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 V
• 150 А
• 120 А
• 2.8 мОм
• 5 мОм
• 1 ... 3 V
• 100 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• FM
• TSSOP8
• Польові N-канальні
• 20 V
• 12 V
• 6/6 А
• 5/5 А
• 22/22 мОм
• 0.5 ... 0.95 V
• 26/26 мОм
• 0.75 V
• 1.98 W

Примітка: Схема з'єднання: Загальний сток

• 100 MHz
• 0.5 A
• 50 V
• 45 V
• SOT-23
• Біполярні PNP

• On Semiconductor
• Інше

• 100..300
• 0.8 A
• 0,625 Вт
• 60 V
• 60 V
• 5 V
• Біполярні PNP
• 200 МГц

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 50 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 135 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• TO-92-3
• 30 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 140
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,8 А
• 400
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,5 А
• 400
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 32 V
• 0,1 А
• 460
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 32