Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 8

• Біполярні NPN
• Fairchild
• TO-92
• 300 MHz
• 40 V
• 75 V
• 0.8 A
• 300
• THT

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-220AB
• 55 V
• THT
• 89 A
• 3600

• Біполярні NPN
• Infineon
• SOT-23
• 100 MHz
• 65 V
• 80 V
• 0.1 A
• 450
• SMD

• Польові N-канальні
• Harris
• TO-220
• 60 V
• THT
• 50 A

• Польові N-канальні
• On
• D-Pak (TO-252)
• 60 V
• SMD
• 20 A
• 675

• Біполярні PNP
• NEC
• TO-126
• 80 MHz
• 30 V
• 40 V
• 0.125
• 400

• Польові P-канальні
• On
• TO-251
• 60 V
• THT
• 7.6 A
• 690

• Польові N-канальні
• ST
• TO-220FP
• 600 V
• THT
• 0.25
• 905

• 120..260
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 50 V
• 45 V
• 5 V
• Nxp
• Біполярні PNP
• 100 МГц

• Інше

Примітка: Тип каналу N | Напруга пробою сток-витік (Ubrdss), 600 | Максимальний струм сток-витік при 25 ° С (Id), А 9 | Максимальний струм сток-витік...

• 350..470
• 2 A
• 0,3 Вт
• 40 V
• 40 V
• 5 V
• Nexperia
• Біполярні NPN
• 230 МГц

• 0.1 A
• 80 V
• 65 V
• Diotec
• Біполярні NPN
• 100 МГц

• 110..800
• 0,1 A
• 0,625 Вт
• 50 V
• 45 V
• 6 V
• Luguang Electronic
• Біполярні NPN
• 150 МГц

• 100..300
• 0.8 A
• 0,625 Вт
• 60 V
• 60 V
• 5 V
• Біполярні PNP
• 200 МГц

• 0.83
• 60 В
• 20 В
• On Semiconductor

• Інше
• OSEN

• IGBT
• MASPOWER

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 672 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 0.37 uC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 172ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 34 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 63 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 16ns | Час виключення:...

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 38 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 25 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 32ns | Час виключення:...

• Біполярні NPN
• Isc
• THT
• TO-3PN
• 400 V
• 12 А
• 5
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга колектор-база, В: 700

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 188 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 90 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 45ns | Час виключення:...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 30 А
• 120 W
• …+150°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 0.30us | Час виключення: 0.50us