Транзистори для електронних компонентів

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 480 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 87 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 22ns | Час виключення: 177ns

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 60 А
• 480 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 225 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.3 | Час включення: 18ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 75 А
• 480 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 192 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.75 | Час включення: 33ns | Час...

• Ixys
• TO-247
• THT
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 110 A
• 15 mOhm
• 480 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 4mA | Ємність затвора: 3550 pF / 25 V | Заряд затвора: 110 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Fair
• TO-3PN
• THT
• Польові N-канальні
• 250 V
• 30 В
• 69 A
• 41 mOhm
• 480 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 4640 pF / 25 V | Заряд затвора: 100 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Ixys
• Польові N-канальні
• 150 A
• 150 В
• 480 W
• 20 В
• 260 A
• 105