Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 6

• 100 MHz
• 0.8 A
• 50 V
• 45 V
• Lge
• TO-92
• THT
• Біполярні NPN

• 100 MHz
• 120
• 1.5 A
• 40 V
• 25 V
• Fairchild
• TO-92
• SMD
• Біполярні NPN

• 125 W
• 200 В
• 20 В
• Infineon
• TO-220
• SMD
• Інше

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 319 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 262 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 135 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• Біполярні NPN
• MDD
• SMD
• SOT23
• -55...+150°C

• IGBT
• ST

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• SOT23
• 25 V
• 1,5 А
• 400
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні NPN
• Isc
• THT
• TO-3
• 450 V
• 15 А
• 8
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 1000

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 400
• -55...+150°C

• Не вказано
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 60 V
• 25 В
• 120 A
• 7 mOhm
• 150 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 3000 pF / 30 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Vishay
• SOT-23
• SMD
• Польові N-канальні
• 20 V
• 8 В
• 3,9 A
• 31 mOhm
• 750 mW
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 850mV / 250µA | Заряд затвора: 12 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг затвора: 1,8V / 4,5V

• Vishay
• PPAK1212-8
• SMD
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 24 mOhm
• 3.2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 250µA | Ємність затвора: 435 pF / 15 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Umw

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Польові N-канальні
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,28 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 250µA | Ємність затвора: 208 pF / 25 V | Заряд затвора: 67.8 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• NCE
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 21 A
• 180 mOhm
• 188 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 83 pF / 50 V | Заряд затвора: 36 nC / 10 V

• NCE
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 60 V
• 20 В
• 20 mOhm
• 85 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 250µA | Ємність затвора: 2050 pF / 30 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• NCE

• Crmicro
• TO-3P
• THT
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 В
• 25 A
• 0,21 Ohm
• 300 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 3487 pF / 25 V | Заряд затвора: 64 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 60 V
• 25 В
• 110 A
• 5,6 mOhm
• 137 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3.6V / 250µA | Ємність затвора: 3135 pF / 30 V | Заряд затвора: 77 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 40 V
• 20 В
• 80 A
• 3,3 mOhm
• 116 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3V / 250µA | Ємність затвора: 5391 pF / 20 V | Заряд затвора: 114 nC / 10 V

• AOS
• DFN3x3
• SMD
• Польові P-канальні
• 20 V
• 8 В
• 40 A
• 9,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 900mV / 250µA | Ємність затвора: 4195 pF / 10 V | Заряд затвора: 53 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Польові P-канальні
• 30 V
• 25 В
• 34 A
• 7,8 mOhm
• 5 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.3V / 250µA | Ємність затвора: 2830 pF / 15 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...