Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 6

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-92L
• Біполярні PNP
• 50 V
• 50 V
• 2 А
• 5 V
• 100 MHz
• 0.9 Вт
• 120 - 240
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• 100 MHz
• 0.8 A
• 50 V
• 45 V
• Lge
• TO-92
• THT
• Біполярні NPN

• 125 W
• 200 В
• 20 В
• Infineon
• TO-220
• SMD
• Інше

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 135 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 54ns | Час...

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• TO-92-3
• 30 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,8 А
• 400
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• SOT23
• 25 V
• 1,5 А
• 400
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні NPN
• Isc
• THT
• TO-3
• 450 V
• 15 А
• 8
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 1000

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-18
• 40 V
• 0,8 А
• 300
• -65…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 75

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Польові P-канальні
• 100 V
• 20 В
• 18 A
• 90 mOhm
• 72 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 250µA | Ємність затвора: 119 pF / 50 V | Заряд затвора: 20.1 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Vishay
• PPAK1212-8
• SMD
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 24 mOhm
• 3.2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 250µA | Ємність затвора: 435 pF / 15 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• ST
• TO-247
• THT
• Польові N-канальні
• 1500 V
• 30 В
• 1,3 A
• 9 Ohm
• 140 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 939 pF / 25 V | Заряд затвора: 29.3 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Польові N-канальні
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,28 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 250µA | Ємність затвора: 208 pF / 25 V | Заряд затвора: 67.8 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 12 A
• 0,8 Ohm
• 51 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 155 pF / 25 V | Заряд затвора: 24.15 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 40 V
• 20 В
• 160 A
• 3,6 mOhm
• 178 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3.5V / 250µA | Ємність затвора: 542 pF / 25 V | Заряд затвора: 111 nC / 10 V

• ONS
• SOT-23
• SMD
• Польові P-канальні
• 30 V
• 20 В
• 1,95 A
• 200 mOhm
• 1.25 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3V / 250µA | Ємність затвора: 200 pF / 15 V | Заряд затвора: 10 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• NCE
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 60 V
• 20 В
• 20 mOhm
• 85 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 250µA | Ємність затвора: 2050 pF / 30 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• NCE
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 135 A
• 3,9 mOhm
• 220 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 650 pF / 50 V | Заряд затвора: 125 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• NCE
• DPAK
• SMD
• Польові P-канальні
• 60 V
• 20 В
• 50 A
• 28 mOhm
• 95 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3.5V / 250µA | Ємність затвора: 719 pF / 25 V | Заряд затвора: 75 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• NCE

• AOS
• SO8
• SMD
• Польові P-канальні
• 30 V
• 20 В
• 15 A
• 7,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.7V / 250µA | Ємність затвора: 6400 pF / 15 V | Заряд затвора: 120 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• SO8
• SMD
• Польові N-канальні
• 40 V
• 20 В
• 8 A
• 13 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.7V / 250µA | Ємність затвора: 1950pF / 20V | Заряд затвора: 33 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...