Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 4

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 54ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 158 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 56ns | Час...

• Silan Microelectronics
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 40 V
• 20 В
• 160 A
• 3,6 mOhm
• 178 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3.5V / 250µA | Ємність затвора: 542 pF / 25 V | Заряд затвора: 111 nC / 10 V

• NCE
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 60 V
• 20 В
• 120 A
• 4 mOhm
• 180 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.4V / 250µA | Ємність затвора: 680 pF / 30 V | Заряд затвора: 67 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• NCE

• Crmicro
• TO-263
• SMD
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 120 A
• 4,2 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 6772 pF / 50 V | Заряд затвора: 90 nC / 50 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 85 V
• 20 В
• 120 A
• 6,5 mOhm
• 164 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 790 pF / 42.5 V | Заряд затвора: 47 nC / 10 V

• AOS
• SO8
• SMD
• Польові P-канальні
• 30 V
• 20 В
• 15 A
• 7,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.7V / 250µA | Ємність затвора: 6400 pF / 15 V | Заряд затвора: 120 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Hooyi
• Польові N-канальні
• 80 A
• 120 A
• 60 В
• 188 W
• 25 В
• 380 A
• 96

• IGBT

• Інше

• IGBT

• Польові N-канальні
• ST
• TO-220FP
• 600 V
• THT
• 10 A

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-220
• 100 V
• THT
• 180 A

• Польові N-канальні
• On
• TO-220
• 900 V
• THT
• 2.3 A
• 740

• Польові N-канальні
• Infineon
• D-Pak (TO-252)
• 55 V
• SMD
• 42 A
• 1570

• Біполярні NPN
• TO-92
• 300 MHz
• 60 V
• 60 V
• 0.2 A
• 300
• THT

• Біполярні NPN
• Panasonic
• TO-92
• 150 MHz
• 20 V
• 40 V
• 5.0 А
• THT

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 110 A
• 3450

• Біполярні NPN
• Diotec
• TO-92
• 210 MHz
• 45 V
• 50 V
• 0.8 A
• 630
• THT

• Біполярні NPN
• Fujitsu
• TO-3PN
• 400 V
• 500 V
• 15 A
• 10
• THT

• 120 A
• Crmicro
• TO-220
• 86 A
• 20.1 нс
• 45.1 нс
• 85 В
• 20 В
• 480 A
• 174 W
• 0,0046 Ohm
• Польові N-канальні

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 55 | Маркировка: CRST055N08N

• 0.83
• 60 В
• 20 В
• On Semiconductor

• Не вказано
• DFN-8
• SMD
• Польові N-канальні
• 20 V
• 20 В
• 25 A
• 11 mOhm
• 35 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 1V / 250µA | Ємність затвора: 150 pF / 10 V | Заряд затвора: 23 nC / 10 V