Транзистори для електронних компонентів

• Rohm
• VML0806
• Польові P-канальні
• 20 V
• 10 V
• -0.1 А
• 2.5 Ом
• -0.3 ... -1 V
• 3.4 Ом
• 0.1 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Rohm
• TO-247
• Польові N-канальні
• 1200 V
• 17 А
• 12 А
• 2.7 ... 5.6 V
• 103 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Rohm
• SO8
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 V
• 5/-4.5 А
• 36/40 мОм
• 52 / 57 мОм
• 1 ... 2.5 V
• 2 W

Примітка: Схема з'єднання: Незалежні

• 35 MHz
• 0.3 A
• 50 V
• 20 V
• Rohm
• SOT-323-3
• THT
• Біполярні NPN

• 270..560
• 0.05 A
• 0,2 Вт
• 120 V
• 120 V
• 5 V
• Rohm
• Біполярні PNP
• 140 МГц

• 180..390
• 0,05 A
• 0,2 Вт
• 120 V
• 120 V
• 5 V
• Rohm
• Біполярні NPN
• 140 МГц

• Біполярні NPN
• Rohm
• SMD
• SOT323
• 11 V
• 0,05 А
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 20

• Біполярні NPN
• Rohm
• SMD
• SOT723
• 11 V
• 0,05 А
• 180
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 11

• Біполярні NPN
• Rohm
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 60 V
• 5 А
• …+150°C

Примітка: Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні PNP
• Rohm
• SMD
• MPT3
• 50 V
• 3 А
• 270
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Rohm
• SMD
• SOT23
• 0,5 А
• …+150°C

• Інше
• Rohm
• SMD
• SOT363
• 0,3 V
• 0,1 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3

• Інше
• Rohm
• SMD
• SOT363
• 0,3 V
• 0,1 А
• 68
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 1.4

• Біполярні PNP
• Rohm
• SMD
• SOT363
• 12 V
• 0,5 А
• 680
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 15

• Біполярні NPN
• Rohm
• THT
• TO-126
• 20 V
• 5 А
• 390
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Rohm
• THT
• TO-92S
• 15 V
• 1 А
• 560
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні NPN
• Rohm
• THT
• TO-92MOD
• 80 V
• 1 А
• 390
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні NPN
• Rohm
• SMD
• MPT3
• 50 V
• 3 А
• 270
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.13 | Напруга колектор-база, В: 60

• Rohm
• TO-247-3
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 25 A
• 182 mOhm
• 306 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 7V / 4.5mA | Ємність затвора: 1900 pF / 100 V | Заряд затвора: 57 nC / 15 V | Діапазон номінальних напруг...

• Rohm
• SOP-8
• SMD
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 В
• 500 mA A
• 11,7 Ohm
• 2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 1mA | Ємність затвора: 23.5pF / 25V | Заряд затвора: 3.8nC / 10V

• Rohm
• SO8
• SMD
• Польові N-канальні
• 60 V
• 20 В
• 6,5 A
• 37 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 1mA | Ємність затвора: 900 pF / 10 V | Заряд затвора: 16 nC / 5 V | Діапазон номінальних напруг...

• Rohm
• Біполярні PNP
• 50 V
• 50 V
• 0.1 V
• 0.1 A
• 0.625 Вт
• 250 МГц
• 30

Примітка: Вбудований опір (Rвбуд): 10k+10k | Маркування на корпусі: 14

• Польові N-канальні
• Rohm
• SO-8
• 30 V
• SMD
• 5 A

• Біполярні NPN
• Rohm
• SC-72
• 250 MHz
• 32 V
• 40 V
• 0.5 A
• 560
• THT