Транзистори для електронних компонентів

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-18
• 40 V
• 0,8 А
• 300
• -65…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 75

• Біполярні NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,6 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 75

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• TO-92-3
• 30 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні PNP
• Fair
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 40

• 300
• 0,6 A
• 0,625 Вт
• 40 V
• 40 V
• 5 V
• Luguang Electronic
• Біполярні PNP
• 200 МГц

• Біполярні NPN
• ST
• SMD
• SOT23
• 500 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга колектор-база, В: 500

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні NPN
• Renesas
• THT
• TO-126
• 30 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Diodes Incorporated
• Біполярні NPN
• 120 V
• 100 V
• 7 V
• 2 A
• 2 Вт
• 175 МГц
• 300

Примітка: Маркування на корпусі: FTZ653

• 300
• 15 A
• 0.5 Вт
• 500 V
• 500 V
• 7 V
• ST
• Біполярні PNP

• 300
• 0,6 A
• 0,625 Вт
• 40 V
• 40 V
• 5 V
• On Semiconductor
• Біполярні PNP
• 200 МГц

• Біполярні NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 100 V
• 2 А
• 300
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.23 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 6 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.21 | Напруга колектор-база, В: 150

• Біполярні PNP
• ST
• SMD
• SOT23
• 500 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 500

• Біполярні NPN
• INFIN
• SMD
• SOT363
• 40 V
• 0,2 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 60 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні PNP
• Central Semiconductor
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 0,6 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 60 V
• 1 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-18
• 40 V
• 0,6 А
• 300
• …+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні PNP
• ZTX
• SMD
• SOT223
• 500 V
• 0,15 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 500

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 40 V
• 0,6 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 40