Транзистори для електронних компонентів

• MDD
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 10 A
• 1 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 142.2 pF / 25 V | Заряд затвора: 34.2 nC / 10 V

• NCE
• TO-252-4L
• SMD
• Інше
• 40 V
• 20 В
• 21 A
• 19 mOhm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2V / 250µA | Ємність затвора: 1500 pF / 20 V | Заряд затвора: 24 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• NCE
• DPAK
• SMD
• Польові P-канальні
• 100 V
• 20 В
• 13 A
• 200 mOhm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3V / 250µA | Ємність затвора: 260 pF / 25 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• TOS
• TO-220FP
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 6 A
• 1,25 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 1mA | Ємність затвора: 800 pF / 25 V | Заряд затвора: 16 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг затвора:...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 5 A
• 2,15 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 62.7 pF / 25 V | Заряд затвора: 9.27 nC / 10 V

• TO-220F
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 V
• 2.5 А
• 2 ... 5 V
• 40 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• TO-220F
• IGBT + Diode
• 600 V
• 10 А
• 20 А
• 10 А
• 20 V
• 70 нс (тип)
• 40 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• DPAK-3
• 600 V
• 6 А
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 12.5 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 650 V
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 57 nC | Час включення: 20.5ns | Час виключення: 96ns

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-225
• 80 V
• 4 А
• 40 W
• 100

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-225
• 80 V
• 4 А
• 40 W
• 100

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні NPN
• Fair
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 40 W
• 750

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-126
• 60 V
• 4 А
• 40 W
• 750

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 60

• VISH/IR
• TO-220ISO
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 20 В
• 3,5 A
• 1,2 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 1300 pF / 25 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• VISH/IR
• TO-220FULLPACK
• THT
• Польові N-канальні
• 400 V
• 20 В
• 5,4 A
• 550 mOhm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 1370 pF / 25 V | Заряд затвора: 66 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• ST
• TO-220FP
• THT
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 В
• 14 A
• 340 mOhm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 100µA | Ємність затвора: 2260 pF / 25 V | Заряд затвора: 106 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Panasonic
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 250 V
• 20 В
• 5 A
• 0,7 Ohm
• 40 W
• …+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 1mA | Ємність затвора: 390pF / 10 V

• NCE
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 20 V
• 12 В
• 30 A
• 12 mOhm
• 40 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 1.2V / 250µA | Ємність затвора: 210.1 pF / 10 V | Заряд затвора: 23.5 nC / 4.5V | Діапазон номінальних напруг...

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Польові P-канальні
• 100 V
• 20 В
• 6,6 A
• 480 mOhm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 350 pF / 25 V | Заряд затвора: 27 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• INFIN
• D-Pak
• SMD
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 В
• 43 A
• 13,8 mOhm
• 40 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.25V / 250µA | Ємність затвора: 780 pF / 15 V | Заряд затвора: 7 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг...

• FUJI
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 800 V
• 20 В
• 3 A
• 4 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 10mA | Ємність затвора: 1400 pF / 25 V

• Fair
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 800 V
• 30 В
• 2,3 A
• 3,5 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 1mA | Ємність затвора: 1457 pF / 25 V | Заряд затвора: 65 nC / 10 V

• ST Microelectronics
• Польові N-канальні
• 6 A
• 9 A
• 800 В
• 40 W
• 30 В
• 36 A
• 72

• On Semiconductor
• Польові N-канальні
• 8 A
• 35 A
• 100 В
• 40 W
• 20 В
• 18