Транзистори для електронних компонентів

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 46 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 52 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 55ns | Час виключення:...

• Vishay
• PowerPAKSO8
• SMD
• Польові P-канальні
• 30 V
• 20 В
• 60 A
• 5,5 mOhm
• 46 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.2V / 250µA | Ємність затвора: 6200pF / 15V | Заряд затвора: 160 nC / 10 V

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Польові N-канальні
• 40 V
• 20 В
• 50 A
• 7,3 mOhm
• 46 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.2V / 17µA | Ємність затвора: 2340 pF / 25 V | Заряд затвора: 30 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• INFIN
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 200 V
• 30 В
• 26 A
• 25 mOhm
• 46 W
• -40…+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 4600 pF / 25 V | Заряд затвора: 110 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Польові N-канальні
• 6 A
• 10 A
• 600 В
• 46 W
• 30 В
• 25 A
• 26

• A&O
• Польові N-канальні
• 34 A
• 34 A
• 30 В
• 46 W
• 20 В
• 135 A
• 80