Транзистори для електронних компонентів

• Біполярні NPN
• Samsung
• THT
• TO-92-3FORM
• 50 V
• 0,05 А
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Samsung
• THT
• TO-92-3
• 50 V
• 0,1 А
• 68
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Samsung
• THT
• TO-92MOD
• 120 V
• 0,8 А
• 240
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 120

• Samsung
• Біполярні NPN
• 0,03 A
• 0,4 Вт
• 30 V
• 50 V
• 5 V
• 2 МГц
• 28..198