Транзистори для електронних компонентів

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• SOT89
• 120 V
• 0,8 А
• 80
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 120 V
• 8 А
• 40
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-3
• 120 V
• 50 А
• 1000
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 120 V
• 1 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 140

• Біполярні NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 120 V
• 1 А
• 500
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 120 V
• 0,05 А
• 800
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні PNP
• Lge
• THT
• TO-92-3
• 120 V
• 0,6 А
• 180
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 130

• Біполярні NPN
• HIT
• THT
• TO-220
• 120 V
• 6 А
• 20000
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні NPN
• HIT
• THT
• TO-220
• 120 V
• 7 А
• 25
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 300

• Біполярні NPN
• Samsung
• THT
• TO-92MOD
• 120 V
• 0,8 А
• 240
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні NPN
• HIT
• THT
• TO-39
• 120 V
• 2 А
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга колектор-база, В: 120