Транзистори для електронних компонентів

• Jilin Sino-Microelectronics.
• TO-220
• Біполярні NPN + Diode
• 400 V
• 700 V
• 4 А
• 9 V
• 4 MHz
• 75 Вт
• min 5
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• ST Microelectronics
• Біполярні NPN
• 4 A
• 75 Вт
• 400 V
• 700 V
• 9 V
• 25 МГц
• 15..37

• UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
• TO-220
• Біполярні NPN
• 60 V
• 70 V
• 10 А
• 5 V
• 2 MHz
• 75 Вт
• 20 - 100
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-220
• Біполярні NPN + Diode
• 420 V
• 700 V
• 4 А
• 9 V
• 5 MHz
• 75 Вт
• 20 - 25
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• Біполярні NPN
• 100 V
• 100 V
• 5 V
• 8 A
• 75 Вт
• 750..15000

• Cdil
• Біполярні NPN
• 6 A
• 75 Вт
• 375 V
• 800 V
• 10 V
• 25

• On Semiconductor
• Біполярні PNP
• 15 A
• 75 Вт
• 80 V
• 90 V
• 5 V
• 5 МГц
• 25

• On Semiconductor
• Біполярні NPN
• 15 A
• 75 Вт
• 80 V
• 90 V
• 5 V
• 5 МГц
• 20..150

• Toshiba
• IGBT
• 600 V
• 30 A
• 2,1 V
• 75 Вт
• 100 А
• є
• 250 н