Транзистори для електронних компонентів

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 20 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.95 | Час включення: 16ns | Час...

• IGBT
• NCE
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 20 А
• 83 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 44 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 20ns | Час виключення:...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 20 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 75 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 25ns | Час виключення:...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 20 А
• 167 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 24.6 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 20ns | Час...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 20 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 66 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.57 | Час виключення: 156ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1200 V
• 20 А
• 330 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 143 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час виключення: 359ns

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-3
• 100 V
• 20 А
• 160 W
• 100

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-247
• 100 V
• 20 А
• 160 W
• 100

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 100

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 1200 V
• 20 А
• 100 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 53 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 4.2 | Час включення: 28ns | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 20 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 19 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 17ns | Час виключення:...

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-3
• 140 V
• 20 А
• 150
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 140

• Біполярні NPN
• SAN
• THT
• TO-3PML
• 800 V
• 20 А
• 30
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 1500

• Біполярні NPN
• MAT
• THT
• TO-3PF
• 600 V
• 20 А
• 12
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 1600