Транзистори для електронних компонентів

• Crmicro
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 100 А
• 100 А
• 20 V
• 428 W

Примітка: Схема з'єднання: Напівміст

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 600 V
• 75 А
• 50 А
• 80 А
• 20 V
• 190 / 300 нс
• 428 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Huayi
• TOLL-8L
• Польові N-канальні
• 40 V
• 20 V
• 600 А
• 424 А
• 0.45 мОм
• 0.61 мОм
• 1.3 ... 2.4 V
• 1.8 V
• 428 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 280 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 38ns | Час...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 428 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 74ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 140 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 470 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 31ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 600 V
• 75 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 470 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 33ns | Час...