Транзистори для електронних компонентів

• IGBT
• INFIN
• SMD
• TO-252-3
• 600 V
• 12 А
• 100 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 48 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 7ns | Час виключення:...

• IGBT
• NCE
• SMD
• TO-263
• 600 V
• 12 А
• 73 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 28 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 20ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 12 А
• 88 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 42 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 9ns | Час виключення:...

• Біполярні NPN
• Isc
• THT
• TO-3PN
• 400 V
• 12 А
• 5
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга колектор-база, В: 700

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-3P
• 400 V
• 12 А
• 40
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 700

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• TO-220
• 100 V
• 12 А
• 400
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 100

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-200AB
• 600 V
• 12 А
• 100 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 51 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.7 | Час включення: 25ns | Час виключення:...

• Біполярні PNP
• ST
• THT
• TO-220F
• 100 V
• 12 А
• 20000
• …+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• TO-220FP
• 100 V
• 12 А
• 80 W
• 100

Примітка: Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• Lge
• THT
• TO-3PN
• 160 V
• 12 А
• 200
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 160