Транзистори для електронних компонентів

• Sptech
• TO-3
• Біполярні PNP+Di
• 120 V
• 120 V
• 50 А
• 5 V
• 300 Вт
• 400 - 18000
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Sptech
• TO-3
• Біполярні PNP
• 250 V
• 400 V
• 16 А
• 5 V
• 4 MHz
• 250 Вт
• 15 - 60
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Sptech
• TO-3
• Біполярні NPN
• 250 V
• 400 V
• 16 А
• 5 V
• 4 MHz
• 250 Вт
• 15 - 60
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Sptech
• TO-3
• Біполярні NPN + Diode
• 120 V
• 120 V
• 50 А
• 5 V
• 300 Вт
• 400 - 18000
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-3
• 120 V
• 50 А
• 1000
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні PNP
• Isc
• THT
• TO-3
• 200 V
• 16 А
• 60
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.4 | Напруга колектор-база, В: 350

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-3
• 100 V
• 15 А
• 100
• …+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.1 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-3
• 60 V
• 15 А
• 70

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.1 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-3
• 140 V
• 16 А
• 40
• -65…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.4 | Напруга колектор-база, В: 160

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-3
• 200 V
• 16 А
• 60
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.4 | Напруга колектор-база, В: 350

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-3
• 140 V
• 20 А
• 150
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 140

• Біполярні NPN
• Не вказано
• THT
• TO-3
• 450 V
• 30 А
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 1000

• Біполярні NPN
• Isc
• THT
• TO-3
• 450 V
• 15 А
• 8
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 1000

• Біполярні NPN
• HIT
• THT
• TO-3
• 800 V
• 5 А
• 15

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 1500

• Біполярні NPN
• Sony
• THT
• TO-3
• 750 V
• 2 А
• 14
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 750

• Біполярні PNP
• TO-3
• 3 MHz
• 70 V
• 15 A

• Біполярні NPN
• Sptech
• TO-3
• 2.5 MHz
• 60 V
• 100 V
• 15 A
• THT

• Біполярні NPN
• On
• TO-3
• 4 MHz
• 200 V
• 350 V
• 16 A
• 60
• THT

• Біполярні NPN
• NEC
• TO-3
• 60 V
• 150 V
• 2.0 А
• THT

• Біполярні NPN
• TO-3
• 7 MHz
• 700 V
• 1500 V
• 8.0 А
• THT

• Біполярні NPN
• Toshiba
• TO-3
• 1500 V
• 1500 V
• 5.0 А
• 8
• THT

• Біполярні PNP
• TO-3
• 35 MHz
• 230 V
• 230 V
• 15 A
• 100

• Біполярні NPN
• TO-3
• 1500 V
• 1500 V
• 5.0 А
• 8
• THT