Транзистори для електронних компонентів

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 60 V
• 10 А
• 20
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 70

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-39
• 50 V
• 0,8 А
• 325
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 75

• Біполярні NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 100 V
• 2 А
• 300
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.23 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні PNP
• ZTX
• THT
• TO-92-3
• 140 V
• 0,5 А
• 250
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 140

• Біполярні NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 60 V
• 5 А
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 150

• Біполярні NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 120 V
• 1 А
• 500
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 120