Транзистори для електронних компонентів

• Luxinsemi
• IGBT
• 650 V
• 40 A
• 20 A
• 1,65 V
• 30,6 Вт
• 45
• 60 А
• є
• 60 нс
• 20 нс
• 50 н

• Infineon
• IGBT
• 1350 V
• 40 A
• 20 A
• 1,65 V
• 288 Вт
• 170
• 60 А
• є
• 235 нс
• 60 А

• Silanmicro
• IGBT
• 600 V
• 40 A
• 20 A
• 2 V
• 155 Вт
• 60 А
• є

• 30 A
• Crmicro
• TO-247
• 15 A
• 34 нс
• 200 нс
• 185 Вт
• 1,8 V
• 60 А
• є
• 60 А
• 61 нс

Примітка: Напруга колектор емітер (UCES), В: 1200 | Максимальний імпульсний струм колектора (Icm), А: 60 | Максимальний прямий струм діода (IF), А:...

• 60 А
• 20 A
• 40 A
• 60 А
• 288 Вт
• 1,55 V
• Infineon
• IGBT

• 60 А
• 21 A
• 42 A
• 60 А
• 125 Вт
• 1,65 V
• Infineon
• IGBT

• A&O
• TO-220FP
• IGBT
• 650 V
• 40 A
• 20 A
• 45 Вт
• 1.7 V
• 60 А
• є
• 60 А
• 122 нс
• 26 нс
• 322 н

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 46

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 30 A
• 15 A
• 1,75 V
• 235 Вт
• 93
• 60 А
• є
• 362 нс
• 60 А
• 32 нс
• 300 н

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 30 A
• 15 A
• 2,05 V
• 217 Вт
• 75
• 60 А
• є
• 260 нс
• 60 А
• 21 нс
• 260 н

• Luxinsemi
• IGBT
• 650 V
• 40 A
• 20 A
• 1,65 V
• 142 Вт
• 60 А
• є

• Luxinsemi
• IGBT
• 650 V
• 40 A
• 20 A
• 1,65 V
• 125 Вт
• 45
• 60 А
• є
• 60 нс
• 20 нс
• 50 н

• Infineon
• IGBT
• 650 V
• 42 A
• 21 A
• 1,6 V
• 125 Вт
• 48
• 60 А
• ні
• 165 нс
• 20 нс

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 30 A
• 15 A
• 2,05 V
• 217 Вт
• 75
• 60 А
• ні
• 260 нс
• 21 нс

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 50 A
• 25 A
• 1,9 V
• 180 Вт
• 85
• 60 А
• є
• 160 нс
• 80 А
• 30 нс
• 105 н

• Toshiba
• IGBT
• 600 V
• 15 A
• 8 A
• 1,5 V
• 30 Вт
• 60 А
• є
• 170 нс
• 60 нс
• 80 н

• On Semiconductor
• IGBT
• 600 V
• 40 A
• 20 A
• 2,2 V
• 165 Вт
• 65
• 60 А
• є
• 90 нс
• 13 нс
• 34 н