Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 5

• Umw
• Інше

• Crmicro
• IGBT
• 600 V
• 30 A
• 15 A
• 1,7 V
• 96 Вт
• 59
• 45 А
• є
• 45 нс
• 40 А
• 30 нс
• 47 н

• Польові P-канальні
• Ir
• TO-220
• 100 V
• THT
• 23 A

• Біполярні NPN
• ST
• TO-220
• 100 V
• 100 V
• 12 А
• 20000
• THT

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-220
• 60 V
• THT
• 210 A
• 6540

• FM
• SO8
• Польові N-канальні
• 20 V
• 10 V
• 6 А
• 4.2 А
• 21 мОм
• 0.5 ... 1 V
• 26 мОм
• 0.75 V
• 2 W

Примітка: Схема з'єднання: Незалежні

• 100..300
• 0.8 A
• 0,625 Вт
• 60 V
• 60 V
• 5 V
• Біполярні PNP
• 200 МГц

• 0.83
• 60 В
• 20 В
• On Semiconductor

• Біполярні NPN
• Не вказано
• THT
• TO-92MOD
• 50 V
• 2 А
• 70
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 50

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 286 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 176 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 40 V
• 0,6 А
• 375
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 75

• Біполярні NPN
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,3 А
• 80
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 400

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-18
• 40 V
• 0,8 А
• 300
• -65…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 75

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 12 A
• 0,8 Ohm
• 51 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 155 pF / 25 V | Заряд затвора: 24.15 nC / 10 V

• ONS-FAIR
• TO-3P(N)
• THT
• Польові N-канальні
• 150 V
• 25 В
• 70 A
• 28 mOhm
• 330 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 5400 pF / 25 V | Заряд затвора: 175 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• NCE
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 28 A
• 130 mOhm
• 260 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.3V / 250µA | Ємність затвора: 120 pF / 50 V | Заряд затвора: 37.5 nC / 10 V

• NCE
• TO-220
• SMD
• Польові N-канальні
• 82 V
• 20 В
• 140 A
• 6 mOhm
• 220 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 7900 pF / 40 V | Заряд затвора: 158 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Huayi
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 160 A
• 4,5 mOhm
• 200 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 2506 pF / 25 V | Заряд затвора: 119 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Crmicro
• TO-3P
• THT
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 В
• 25 A
• 0,21 Ohm
• 300 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 3487 pF / 25 V | Заряд затвора: 64 nC / 10 V

• Інше

• On Semiconductor
• SuperSOT6
• Інше
• 30 В
• 20 В
• 1.6 W
• THT

Примітка: Тип каналу: N: | Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А: 6.3 | Повний заряд затвора, нКл: 9 | Опір стік-витік при 10V (Rdson), Ом:...

• 4.9 A
• 22.3
• 30 V
• SO-8
• SMD
• Польові P-канальні

Примітка: високовольтний

• NEC
• Біполярні PNP
• 2 A
• 1,2 Вт
• 50 V
• 50 V
• 5 V
• 100 МГц
• 80..200