Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 5

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Польові P-канальні
• 100 V
• 20 В
• 18 A
• 90 mOhm
• 72 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 250µA | Ємність затвора: 119 pF / 50 V | Заряд затвора: 20.1 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• VISH/IR
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 400 V
• 30 В
• 10 A
• 600 mOhm
• 147 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 526 pF / 100 V | Заряд затвора: 30 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Umw
• DPAK
• SMD
• Польові N-канальні
• 60 V
• 20 В
• 50 A
• 18 mOhm
• 105 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 250µA | Ємність затвора: 2928 pF / 25 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• ST
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 25 В
• 13 A
• 280 mOhm
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 791 pF / 100 V | Заряд затвора: 21.5 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• NCE
• DPAK
• SMD
• Польові P-канальні
• 40 V
• 20 В
• 40 A
• 14 mOhm
• 80 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3V / 250µA | Ємність затвора: 370 pF / 20 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• 0.1 А
• 50 V
• 45 V
• SOT-23
• SMD
• Біполярні NPN

Примітка: високовольтний

• Luxinsemi
• IGBT
• 650 V
• 40 A
• 20 A
• 1,65 V
• 30,6 Вт
• 45
• 60 А
• є
• 60 нс
• 20 нс
• 50 н

• ST Microelectronics
• Польові N-канальні
• 12 A
• 18 A
• 650 В
• 30 W
• 25 В
• 72 A
• 29

• 800
• 0.1 A
• 45 V
• 50 V
• TO-92
• THT
• Біполярні NPN

• Інше

• 1000
• 5 A
• 80 V
• 80 V
• ST Microelectronics
• TO-220
• THT
• Біполярні NPN

• Польові N-канальні
• Ir
• D-Pak (TO-252)
• 100 V
• SMD
• 63 A
• 3980

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-247AC
• 200 V
• THT
• 50 A
• 4057

• NPN
• TO-92-3

Примітка: Комплементарна пара: SS8550 | Розсіювана потужність: 1 Вт. | Максимальна напруга КЕ: 25 В. | Колекторний струм: 1,5 А | Гранична робоча...

• Інше
• A&O
• DFN-EP (3.3x3.3)
• SMD
• 20 В
• 8 В
• 50 А
• 200 A
• 83 W

Примітка: Потужність, що розсіюється при 100°C (Pd(100°C)), Вт: 33 | Опір стік-витік при 4,5V (Rdson), Ом: 0.005 | Опір стік-витік при 2,5V (Rdson),...

• EG Micro

Примітка: Категорія продукту:: Драйвери затвора IGBT, MOSFET | Монтаж:: SMD | Тип корпусу:: SO8 | Напруга живлення – мін.:: 10 V | Напруга живлення –...

• Польові N-канальні
• Infineon
• TO220F
• 20.2 А
• 12.7 A
• 0.171 Ом
• 4 V
• 3.5 ... 4.5 V
• 34 W

• Польові P-канальні
• Umw
• SOT23
• -4.2 А
• -3.5 A
• 50 мОм
• 65 мОм
• 0.12 Ом
• -0.4 ... 1.3 V
• 1.4 W

• ONS
• Польові N-канальні

• VG semi
• TO220
• Польові N-канальні
• 80 V
• 25 V
• 160 А
• 113 А
• 4.5 мОм
• 2.6 ... 3.6 V
• 3.1 V
• 259 Вт

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-92L
• Біполярні PNP
• 50 V
• 50 V
• 2 А
• 5 V
• 100 MHz
• 0.9 Вт
• 120 - 240
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT223
• Біполярні PNP
• 80 V
• 100 V
• 1 А
• 5 V
• 100 MHz
• 1.5 Вт
• 100 - 250
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Anhui FOSAN Semiconductor Technology Co., Ltd.
• SOT89
• Біполярні NPN
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 50 MHz
• 0.5 Вт
• 60 - 400
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний