Транзистори для електронних компонентів

• TOS
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 В
• 12 A
• 520 mOhm
• 45 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 1mA | Ємність затвора: 1350 pF / 25 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Umw
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 20 В
• 10 A
• 0,9 Ohm
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 1570 pF / 25 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7

• NCE
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 28 A
• 130 mOhm
• 260 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.3V / 250µA | Ємність затвора: 120 pF / 50 V | Заряд затвора: 37.5 nC / 10 V

• MDD
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 10 A
• 1 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 142.2 pF / 25 V | Заряд затвора: 34.2 nC / 10 V

• Не вказано
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 10 A
• 1 Ohm
• 50 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 135 pF / 25 V | Заряд затвора: 19.4 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 12 A
• 0,8 Ohm
• 51 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 155 pF / 25 V | Заряд затвора: 24.15 nC / 10 V

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 38 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 25 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 32ns | Час виключення:...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-220F
• 650 V
• 30 А
• 30,6 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 45 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5

• ONS-FAIR
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 В
• 18 A
• 265 mOhm
• 38.5 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 2860 pF / 25 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Crmicro
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 23 A
• 210 mOhm
• 229 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.6V / 250µA | Ємність затвора: 67 pF / 100 V | Заряд затвора: 41 nC / 10 V

• Польові N-канальні
• A&O
• TO-220F
• 650 V
• THT
• 7.0 А
• 887

• Silan
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 V
• 2 А
• 1.3 А
• 2 ... 4 V
• 23 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• NCE
• TO-220F
• IGBT + Diode
• 600 V
• 30 А
• 60 А
• 30 V
• 178 нс (тип)
• 35.5 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Fairchild
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 V
• 4 А
• 2.4 А
• 3 ... 5 V
• 28 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Crmicro
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 V
• 31 А
• 20 А
• 2.9 ... 4.9 V
• 26 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 34 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 63 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 16ns | Час виключення:...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-220F
• 650 V
• 30 А
• 48 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 61 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 19ns | Час...

• Vbsemi
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 200 W
• …+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V | Ємність затвора: 105 pF | Заряд затвора: 71 nC

• ST
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 10 A
• 640 mOhm
• 35 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 100µA | Ємність затвора: 1740 pF / 25 V | Заряд затвора: 59 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• ST
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 25 В
• 13 A
• 280 mOhm
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 791 pF / 100 V | Заряд затвора: 21.5 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 5 A
• 2,15 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 62.7 pF / 25 V | Заряд затвора: 9.27 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 1174 pF / 100 V | Заряд затвора: 39 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...