Транзистори для електронних компонентів

• Umw
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 20 В
• 10 A
• 0,9 Ohm
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 1570 pF / 25 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V

• ST
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 25 В
• 13 A
• 280 mOhm
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 791 pF / 100 V | Заряд затвора: 21.5 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 12 A
• 0,8 Ohm
• 51 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 155 pF / 25 V | Заряд затвора: 24.15 nC / 10 V

• Silan
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 V
• 2 А
• 1.3 А
• 2 ... 4 V
• 23 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• NCE
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 V
• 38 А
• 24 А
• 3 ... 4 V
• 3.5 V
• 36 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Crmicro
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 V
• 31 А
• 20 А
• 2.9 ... 4.9 V
• 26 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 1174 pF / 100 V | Заряд затвора: 39 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• NCE
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 15 A
• 260 mOhm
• 33.2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 74 pF / 0 V | Заряд затвора: 42 nC / 10 V

• Польові N-канальні
• A&O
• TO-220F
• 650 V
• THT
• 7.0 А
• 887

• Vishay Intertechnology, Inc.
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 V
• 15 А
• 9.6 А
• 2 ... 4 V
• 34 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• REASUNOS
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 V
• 8 А
• 3 ... 4 V
• 30 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• NCE
• TO-220F
• IGBT + Diode
• 600 V
• 30 А
• 60 А
• 30 V
• 178 нс (тип)
• 35.5 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Fairchild
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 900 V
• 30 V
• 8 А
• 2.8 А
• 3 ... 5 V
• 68 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• TOS
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 9,7 A
• 450 mOhm
• 30 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 500µA | Ємність затвора: 720 pF / 300 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 5 A
• 2,15 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 62.7 pF / 25 V | Заряд затвора: 9.27 nC / 10 V

• ONS-FAIR
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 900 V
• 30 В
• 8 A
• 1,4 Ohm
• 68 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 2730 pF / 25 V | Заряд затвора: 58 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• NCE
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 11,5 A
• 360 mOhm
• 101 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 54 pF / 50 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V

• MDD
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 10 A
• 1 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 142.2 pF / 25 V | Заряд затвора: 34.2 nC / 10 V

• TO-220F
• Інше
• 250 В
• 400 A
• 20 В
• 45 W

Примітка: Тип каналу: N | Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А: 25 | Максимальний струм стік-витік при 100°С (Id(100°С)), А: 17.5 | Повний...

• Польові N-канальні
• Fairchild
• TO-220F
• 600 V
• THT
• 7.5 A

• Польові N-канальні
• On
• TO-220F
• 900 V
• THT
• 2.3 A
• 740

• Польові N-канальні
• Fs
• TO-220F
• 600 V
• THT
• 2.3 A
• 710