Транзистори для електронних компонентів. Hfe 280

• Біполярні NPN
• SAN
• THT
• TO-220FP
• 50 V
• 5 А
• 280
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• TOS
• THT
• TO-247
• 50 V
• 7 А
• 280
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 25 V
• 5 А
• 280
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.33 | Напруга колектор-база, В: 80

• Toshiba
• Біполярні PNP
• 1,5 A
• 10 Вт
• 160 V
• 160 V
• 6 V
• 100 МГц
• 280