Транзистори для електронних компонентів

• Біполярні NPN
• Toshiba
• TO-3P
• 30 MHz
• 230 V
• 230 V
• 15 A
• 160
• THT

• Crmicro
• TO-3P
• THT
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 В
• 25 A
• 0,21 Ohm
• 300 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 3487 pF / 25 V | Заряд затвора: 64 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Польові N-канальні
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,28 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 250µA | Ємність затвора: 208 pF / 25 V | Заряд затвора: 67.8 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 100 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 18ns | Час...

• ONS-FAIR
• TO-3P
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 47A (Tc) A
• 70 mOhm
• 417 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 8000 pF / 25 V | Заряд затвора: 270 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• IGBT
• Crmicro
• TO-3P
• 600 V
• 1.9 V
• 80 A
• 40 A
• 280 W

• IGBT
• On
• TO-3P
• 1200 V
• 2.0 V
• 50 A
• 25 A
• 312 W

• Біполярні NPN
• Cdil
• TO-3P
• 120 V
• 120 V
• 30 A
• THT

• 7 A
• 1500 V
• 600 V
• Toshiba
• TO-3P
• THT
• Біполярні NPN

• 7 A
• 1500 V
• 600 V
• Savantic
• TO-3P
• THT
• Біполярні NPN

• 7 A
• 1500 V
• 600 V
• Savantic
• TO-3P
• THT
• Біполярні NPN

• 250 V
• Ixys
• TO-3P
• 60 mOhm
• THT
• 50A
• Польові N-канальні

Примітка: Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 4100/78

• 30 MHz
• 7 A
• 220 V
• 120 V
• TO-3P
• THT
• Біполярні NPN

• Xiner
• TO-3P
• IGBT + Diode
• 600 V
• 40 А
• 80 А
• 20 V

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• SANKEN ELECTRIC
• TO-3P
• Біполярні PNP
• 230 V
• 230 V
• 15 А
• 5 V
• 35 MHz
• 130 Вт
• 70 - 140
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• SANKEN ELECTRIC
• TO-3P
• Біполярні NPN
• 230 V
• 230 V
• 15 А
• 5 V
• 60 MHz
• 130 Вт
• 70 - 140
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• SANKEN ELECTRIC
• TO-3P
• Біполярні NPN
• 150 V
• 150 V
• 14 А
• 5 V
• 60 MHz
• 125 Вт
• 70 - 140
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• TO-3P
• Польові N-канальні
• 1500 V
• 30 V
• 2.5 А
• 2 ... 4 V
• 140 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• KOREA ELECTRONICS CO. LTD.
• TO-3P
• Біполярні PNP
• 140 V
• 160 V
• 12 А
• 6 V
• 15 MHz
• 100 Вт
• 100 - 200
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• HAOLIN ELE
• TO-3P
• Польові N-канальні
• 60 V
• 25 V
• 210 А
• 130 А
• 2 ... 4 V
• 3 V
• 220 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• 30 MHz
• 15 A
• 230 V
• 230 V
• TO-3P
• Біполярні PNP

• Біполярні NPN
• TOS
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 50 А
• …+150°C

• IGBT
• ST
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 80 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 306 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 51ns | Час...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 120 А
• 450 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 110 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 55ns | Час...