Транзистор IGBT SGT60T65FD1PN
Код: 627583
Особливості:
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-3P
- 650 V
- 120 А
- 450 W
- -55...+150°C
- На складі
Примітка: Заряд затвора: 110 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 55ns | Час виключення: 125ns
203 грн.
Спец. ціна 178 грн.В наявності
Характеристики
| Тип | IGBT |
|---|---|
| Бренд | Silan Microelectronics |
| Тип монтажу | THT |
| Корпус | TO-3P |
| Vce | 650 V |
| Струм | 120 А |
| Pd 25 | 450 W |
| Температурний діапазон | -55...+150°C |
| Наявність на складі | Так |
- Гарантія
- Кожен товар гарантовано надійде до покупця точно в обговорений термін
- Доставка
- Доставка товару будь-яким із зручних Вам запропонованих способів
- Повернення товару
- Повернення товару здійснюється протягом 14 днів після покупки, відповідно до чинного закону
- Оплата при отриманні товару
- Оплата проводиться під час отримання товару, післяплатою
Схожі товари
Транзистор польовий N-канальний IPP60R099C6XKSA1
Код: 532255
474 грн.
Спец. ціна 423 грн.В наявності
Питання та відгуки
Питань ще немає, але Ви можете бути першим
Відмічені поля * необхідно заповнити.