• Популярні
  • Час додавання
  • Ціна
Транзистор біполярний NJW1302G

Транзистор біполярний NJW1302G

4

Код: 628173

  • Біполярні PNP
  • ONS
  • THT
  • TO-3P
  • 250 V
  • 15 А
  • 150
  • -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 250

В наявності

Транзистор біполярний NJW3281G

Транзистор біполярний NJW3281G

4

Код: 628172

  • Біполярні NPN
  • ONS
  • THT
  • TO-3P
  • 250 V
  • 15 А
  • 150
  • -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 250

В наявності

Транзистор біполярний FJA13009TU

Транзистор біполярний FJA13009TU

5

Код: 628418

  • Біполярні NPN
  • ONS
  • THT
  • TO-3P
  • 400 V
  • 12 А
  • 40
  • -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 700

В наявності

Транзистор Дарлінгтона TIP147TU

Транзистор Дарлінгтона TIP147TU

4

Код: 628017

  • Біполярні PNP
  • ONS-FAIR
  • THT
  • TO-3P
  • 100 V
  • 10 А
  • 80 W
  • 500

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 100

В наявності

Транзистор IGBT SGH40N60UFDTU

Транзистор IGBT SGH40N60UFDTU

4

Код: 627870

  • IGBT
  • Fair
  • THT
  • TO-3P
  • 600 V
  • 40 А
  • 160 W
  • -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 15ns | Час виключення:...

В наявності

Транзистор IGBT SGH80N60UFDTU

Транзистор IGBT SGH80N60UFDTU

5

Код: 627669

  • IGBT
  • Fair
  • THT
  • TO-3P
  • 600 V
  • 80 А
  • 195 W
  • -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 175 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.6 | Час включення: 23ns | Час...

В наявності

Транзистор біполярний 2SD2500

Транзистор біполярний 2SD2500

5

Код: 628246

  • Біполярні NPN
  • TOS
  • THT
  • TO-3P
  • 600 V
  • 10 А
  • 30
  • …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 1500

В наявності

Транзистор біполярний 2SD1433

Транзистор біполярний 2SD1433

5

Код: 628256

  • Біполярні NPN
  • TOS
  • THT
  • TO-3P
  • 600 V
  • 7 А
  • 8
  • …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 1500

В наявності

Транзистор біполярний 2SC5589

Транзистор біполярний 2SC5589

5

Код: 628247

  • Біполярні NPN
  • TOS
  • THT
  • TO-3P
  • 750 V
  • 18 А
  • 48
  • …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 1500

В наявності

Транзистор біполярний 2SC3909

Транзистор біполярний 2SC3909

5

Код: 628049

  • Біполярні NPN
  • SAN
  • THT
  • TO-3P
  • 800 V
  • …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 900

В наявності

Транзистор біполярний 2SC3535

Транзистор біполярний 2SC3535

5

Код: 627883

  • Біполярні NPN
  • TOS
  • THT
  • TO-3P
  • 5 А
  • …+150°C

Примітка: Напруга колектор-база, В: 1000

В наявності

Транзистор польовий MOSFET SVF20NE50PN

Транзистор польовий MOSFET SVF20NE50PN

4

Код: 625599

  • Silan Microelectronics
  • TO-3P
  • THT
  • Польові N-канальні
  • 500 V
  • 30 В
  • 20 A
  • 0,27 Ohm
  • 252 W
  • -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 425 pF / 25 V | Заряд затвора: 58.38 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

В наявності

Транзистор польовий MOSFET SVF18N50PN

Транзистор польовий MOSFET SVF18N50PN

4

Код: 625587

  • Silan Microelectronics
  • TO-3P
  • THT
  • Польові N-канальні
  • 500 V
  • 30 В
  • 18 A
  • 0,31 Ohm
  • 240 W
  • -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 2320 pF / 25 V | Заряд затвора: 37.9 nC / 10 V

В наявності

Транзистор польовий MOSFET 2SK1317-E

Транзистор польовий MOSFET 2SK1317-E

4

Код: 625576

  • Renesas
  • TO-3P
  • THT
  • Польові N-канальні
  • 1500 V
  • 20 В
  • 2,5 A
  • 12 Ohm
  • 100 W
  • -55...+150°C

Примітка: Ємність затвора: 990 pF / 10 V | Діапазон номінальних напруг затвора: 15V

В наявності

Транзистор польовий MOSFET FQA9N90C-F109

Транзистор польовий MOSFET FQA9N90C-F109

5

Код: 625558

  • ONS-FAIR
  • TO-3P
  • THT
  • Польові N-канальні
  • 900 V
  • 30 В
  • 9 A
  • 1,4 Ohm
  • 280 W
  • -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 2730 pF / 25 V | Заряд затвора: 58 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

В наявності

Транзистор польовий MOSFET FQA9N90-F109

Транзистор польовий MOSFET FQA9N90-F109

4

Код: 625556

  • ONS-FAIR
  • TO-3P
  • THT
  • Польові N-канальні
  • 900 V
  • 30 В
  • 8,6 A
  • 1,3 Ohm
  • 240 W
  • -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 2700 pF / 25 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

В наявності

Транзистор польовий MOSFET FQA7N80C-F109

Транзистор польовий MOSFET FQA7N80C-F109

5

Код: 625554

  • ONS-FAIR
  • TO-3P
  • THT
  • Польові N-канальні
  • 800 V
  • 30 В
  • 7 A
  • 1,9 Ohm
  • 198 W
  • -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 1680 pF / 25 V | Заряд затвора: 35 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

В наявності

Транзистор польовий MOSFET FDA16N50-F109

Транзистор польовий MOSFET FDA16N50-F109

4

Код: 625555

  • ONS-FAIR
  • TO-3P
  • THT
  • Польові N-канальні
  • 500 V
  • 30 В
  • 16,5 A
  • 380 mOhm
  • 205 W
  • -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 1945 pF / 25 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

В наявності

Транзистор польовий MOSFET FDA38N30

Транзистор польовий MOSFET FDA38N30

5

Код: 625503

  • ONS
  • TO-3P
  • THT
  • Польові N-канальні
  • 300 V
  • 30 В
  • 38 A
  • 85 mOhm
  • 312 W
  • -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 2600 pF / 25 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

В наявності

Транзистор польовий MOSFET FDA59N25

Транзистор польовий MOSFET FDA59N25

5

Код: 625507

  • ONS
  • TO-3P
  • THT
  • Польові N-канальні
  • 250 V
  • 30 В
  • 59 A
  • 0,049 Ohm
  • 392 W
  • -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 4020 pF / 25 V | Заряд затвора: 82 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

В наявності

Транзистор польовий MOSFET 2SK872

Транзистор польовий MOSFET 2SK872

5

Код: 625412

  • NEC
  • TO-3P
  • THT
  • Польові N-канальні
  • 900 V
  • 20 В
  • 6 A
  • 2,5 Ohm
  • 150 W
  • …+150°C

Примітка: Ємність затвора: 280 pf

В наявності

Транзистор польовий MOSFET IXFQ28N60P3

Транзистор польовий MOSFET IXFQ28N60P3

4

Код: 625315

  • Ixys
  • TO-3P
  • THT
  • Польові N-канальні
  • 600 V
  • 30 В
  • 28 A
  • 260 mOhm
  • 695 W
  • -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 2.5mA | Ємність затвора: 3560 pF / 25 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

В наявності

Транзистор польовий MOSFET IXFQ20N50P3

Транзистор польовий MOSFET IXFQ20N50P3

5

Код: 625314

  • Ixys
  • TO-3P
  • THT
  • Польові N-канальні
  • 500 V
  • 30 В
  • 20 A
  • 300 mOhm
  • 380 W
  • -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 1.5mA | Ємність затвора: 1800 pF / 25 V | Заряд затвора: 36 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

В наявності

Транзистор польовий MOSFET IXFQ140N20X3

Транзистор польовий MOSFET IXFQ140N20X3

5

Код: 625307

  • Ixys
  • TO-3P
  • THT
  • Польові N-канальні
  • 200 V
  • 20 В
  • 140 A
  • 9,6 mOhm
  • 520 W
  • -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 4mA | Ємність затвора: 7660 pF / 25 V | Заряд затвора: 127 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

В наявності

Сторінка 2 з 4