Транзистори для електронних компонентів

• Біполярні PNP
• TAIWAN SEMICONDUCTOR
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 600
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• TAIWAN SEMICONDUCTOR
• TO-252-3
• SMD
• Польові P-канальні
• 60 V
• 20 В
• 7 A
• 180 mOhm
• 15.6 W
• …+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 250µA | Ємність затвора: 425 pF / 30 V | Заряд затвора: 8.2 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...