Транзистори для електронних компонентів. Hfe 500

• Біполярні NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 120 V
• 1 А
• 500
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-247
• 100 V
• 10 А
• 125 W
• 500

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні PNP
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P
• 100 V
• 10 А
• 80 W
• 500

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-225
• 100 V
• 2 А
• 15 W
• 500

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 100