Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 10

• 100 MHz
• 250
• 0.5 A
• 50 V
• 45 V
• Nxp
• SOT-23
• Біполярні PNP

• Біполярні PNP

Примітка: високовольтний

Примітка: високовольтний

• 22 A
• 215 A
• 215 W
• 2.05 V
• 600 V
• Ir
• TO-220AB
• IGBT

• Vishay
• Польові N-канальні
• 22 A
• 500 В
• 277 W
• 30 В
• 120

• Diodes Incorporated
• Біполярні PNP
• 5 A
• 3 Вт
• 60 V
• 100 V
• 6 V
• 120 МГц
• 10..300

• ST Microelectronics
• Біполярні NPN
• 8 A
• 80 Вт
• 400 V
• 700 V
• 9 V
• 4 МГц
• 18..40

• Galaxy
• Біполярні NPN
• 0,15 A
• 0,4 Вт
• 50 V
• 60 V
• 5 V
• 80 МГц
• 70..700

• ST Microelectronics
• Польові N-канальні
• 7 A
• 11 A
• 600 В
• 110 W
• 25 В
• 44 A
• 17

• A&O
• Польові P-канальні
• 2 A
• 2,6 A
• 30 В
• 1,4 W
• 20 В
• 20 A
• 5,2

• On Semiconductor
• Біполярні NPN
• 0,5 A
• 0,625 Вт
• 80 V
• 80 V
• 4 V
• 100 МГц
• 100

• Toshiba
• Біполярні NPN
• 10 A
• 100 Вт
• 140 V
• 140 V
• 5 V
• 30 МГц
• 55..160

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 67 A
• 48 A
• 1,6 V
• 246 Вт
• 177
• 120 А
• є
• 222 нс
• 120 А
• 18 нс
• 144 н

• A&O
• Польові P-канальні
• 2,4 A
• 3 A
• 20 В
• 1,4 W
• 8 В
• 15 A

• Vishay
• Польові N-канальні
• 11 A
• 20 A
• 500 В
• 250 W
• 30 В
• 80 A
• 76

• Toohong
• Польові N-канальні
• 12 A
• 20 A
• 600 В
• 50 W
• 30 В
• 80 A
• 61

• On Semiconductor
• Біполярні NPN
• 0,1 A
• 0,2 Вт
• 50 V
• 50 V
• 250 МГц
• 30

• Vishay
• Польові N-канальні
• 10 A
• 400 В
• 125 W
• 30 В
• 40 A
• 36

• Ncepower
• Польові N-канальні
• 126 A
• 180 A
• 60 В
• 220 W
• 20 В
• 720 A
• 70

• Yangjie
• Біполярні NPN
• 0,5 A
• 0,3 Вт
• 25 V
• 40 V
• 5 V
• 150 МГц
• 200..350

• Ncepower
• Польові N-канальні
• 105 A
• 150 A
• 30 В
• 130 W
• 20 В
• 660 A
• 38

• Xiner
• IGBT
• 600 V
• 20 A
• 1,7 V
• 20 А
• є