Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 9

• 1 A
• 50 V
• 45 V
• Diotec
• SOT-23
• SMD
• Біполярні NPN

• On Semiconductor
• Інше

• Diotec
• 300 MHz
• 0.6 A
• 180 V
• 160 V
• SOT-23
• SMD
• Біполярні NPN

• 125 W
• 200 В
• 20 В
• Infineon
• TO-220
• SMD
• Інше

• 25 A
• 100 V
• 100 V
• ST Microelectronics
• TO-218
• THT
• Біполярні NPN

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 38 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 25 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 32ns | Час виключення:...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 160 А
• 390 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 331 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 135 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3P(N)
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 81.5 nC

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-220F
• 650 V
• 30 А
• 30,6 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 45 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 50 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 135 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2

• IGBT
• ST

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• TO-92-3
• 30 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 750
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.5 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,5 А
• 400
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,5 А
• 20000
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні PNP
• Fair
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• Utc
• THT
• TO-92-3FORM
• 300 V
• 0,5 А
• 80
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 300

• Біполярні NPN
• Mcc
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 450
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Не вказано
• SOT-23
• SMD
• Польові N-канальні
• 60 V
• 20 В
• 320mA A
• 1,6 Ohm
• 300 mW
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.3V / 250µA | Ємність затвора: 24.5 pF / 20 V | Заряд затвора: 0.7 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг...

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Польові N-канальні
• 200 V
• 30 В
• 9 A
• 0,4 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 525 pF / 25V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V

• Umw