Транзистор польовий MOSFET HYG015N03LS2C2

4

Код: 624698

Особливості:

  • Huayi
  • На складі

В наявності

Оплата
Онлайн карткою банку / Післяплата під час отримання / Безготівковий розрахунок
Доставка
На відділення «Нова пошта» / На поштомат «Нова пошта» / На відділення «Укрпошта»

Про товар

Технічні характеристики

  • Корпус: PDFN5x6-8L.
  • Напруга сток-витік (Drain-Source Voltage, Vds): 30 В.
  • Заряд затвора (Gate Charge, Qg): 44,7 нКл за 10 В.
  • Безперервний струм стоку (Continuous Drain Current, Id): 140 А.
  • Потужність, що розсіюється (Power Dissipation, Pd): 65 Вт.
  • Порогова напруга затвора (Gate Threshold Voltage, Vgs(th)): 3 В.
  • Зворотна передатна ємність (Reverse Transfer Capacitance, Crss @ Vds): 9,2 пФ.
  • Опір відкритого каналу (RDS(on)): 3 мОм при 4,5.
  • Кількість каналів: 1 N-канальний.
  • Робоча температура: від -55 °C до +175 °C.
  • Вхідна ємність (Input Capacitance, Ciss): 3,011 нФ.
  • Тип транзистора: N-канальний.

Характеристики

Бренд Huayi
Наявність на складі Так

Питання та відгуки

Питань ще немає, але Ви можете бути першим

Відмічені поля * необхідно заповнити.

Оцініть товар
Гарантія
Кожен товар гарантовано надійде до покупця точно в обговорений термін
Доставка
Доставка товару будь-яким із зручних Вам запропонованих способів
Повернення товару
Повернення товару здійснюється протягом 14 днів після покупки, відповідно до чинного закону
Оплата при отриманні товару
Оплата проводиться під час отримання товару, післяплатою

З цим товаром купують

Схожі товари