Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 70

• Біполярні PNP
• TOS
• SMD
• SC59-3
• 50 V
• 0,15 А
• 400
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-3P
• 400 V
• 12 А
• 40
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 700

• Інше
• TI
• DIP-16
• 100 V
• 0,5 А

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 650 V
• 60 А
• 153 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 84 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 25.6ns | Час...

• Інше
• Rohm
• SMD
• SOT363
• 0,3 V
• 0,1 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 75 А
• 395 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 164 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.42 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 40 А
• 166 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 18ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 255 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 95 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 22ns | Час...

• ВЧ
• INFIN

• Біполярні NPN
• TOS
• SMD
• SOT23
• 20 V
• 0,3 А
• 1200
• …+125°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• TOS
• SMD
• SOT23
• 20 V
• 0,3 А
• 1200
• …+125°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 60 А
• 375 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 280 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.4 | Час включення: 50ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 600 V
• 30 А
• 47 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 88 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.75 | Час включення: 65ns | Час...

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 80 V
• 1 А
• 160
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 80

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 217 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 75 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.05 | Час включення: 21ns | Час...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 30 А
• 294 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 109 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 64ns | Час виключення: 128ns

• Біполярні PNP
• ZTX
• SMD
• SOT223
• 500 V
• 0,15 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 500

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1350 V
• 80 А
• 394 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 234 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.4 | Час виключення: 250ns

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• TO-126
• 300 V
• 0,5 А
• 30
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 3

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• TO-126
• 300 V
• 0,5 А
• 30
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 3

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO247-3
• 1200 V
• 15 А
• 110 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 85 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 50ns | Час виключення:...

• Біполярні NPN
• INFIN
• SMD
• SOT-343-4
• 4 V
• 0,025 А
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 1.2 | Напруга колектор-база, В: 13

• Біполярні NPN
• ST
• SMD
• SOT223
• 1200 V
• 0,2 А
• 3
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3

• Біполярні NPN
• ST
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 400 V
• 1,5 А
• 35
• -65…+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 700