Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 69

• Біполярні PNP
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 33
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 25 V
• 0,025 А
• -65…+150°C

Примітка: Напруга колектор-база, В: 25

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 16 V
• 0,05 А
• -40…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 24

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 12 V
• 0,065 А
• -40…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 24

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 60 V
• 8 А
• 80 W
• 20000

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні PNP
• Rohm
• SMD
• SOT23
• 0,5 А
• …+150°C

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 600 V
• 7 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 34.4 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 22.5ns | Час...

• Біполярні NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 60 V
• 5 А
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 150

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-225
• 60 V
• 4 А
• 250
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-225
• 60 V
• 4 А
• 250
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 80

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 156 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 90 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2

• Біполярні NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 120 V
• 1 А
• 500
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 32 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 32

• Біполярні PNP
• Central Semiconductor
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 0,6 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 70 V
• 7 А
• 150
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3.5 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• TO-220
• 70 V
• 7 А
• 150
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3.5 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні NPN
• Central Semiconductor
• THT
• TO-92-3
• 15 V
• 0,05 А
• 200
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-3P
• 250 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 250

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-3P
• 250 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 250

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-220F
• 400 V
• 8 А
• 60
• -50…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 700

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-126
• 80 V
• 1 А
• 475
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.8 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 60 V
• 1 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 80

• Інше
• AD
• SO-8
• 40 V
• 0,02 А
• 550

Примітка: Напруга колектор-база, В: 40

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 10 А
• 65 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 19.2 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 14.2ns | Час...