Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 81

• Інше
• Umw

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 15 А
• 130 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 87 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 17ns | Час виключення: 188ns

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT26
• 150 V
• 0,2 А
• 50
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 160

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 150 А
• 375 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 145 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 50ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 24 А
• 110 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 62 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 12ns | Час виключення:...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 235 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 148 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 45ns | Час...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 380 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 100 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 88ns | Час...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 46 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 52 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 55ns | Час виключення:...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 416 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 180 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 42ns

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 120 А
• 450 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 110 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 55ns | Час...

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,2 А
• 400
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6.5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.08 | Напруга колектор-база, В: 45

• Біполярні PNP
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 90
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,5 А
• 40
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,5 А
• 40
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 210
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 60

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 288 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 170 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час виключення: 260ns

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 270 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 37 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.4 | Час включення: 23ns | Час виключення:...

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 270 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 39 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 23ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 53 А
• 200 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 130 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 15ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.95 | Час включення: 17ns | Час виключення: 194ns

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 300 V
• 0,5 А
• 40
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 300

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 80 V
• 0,1 А
• 100
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-126
• 80 V
• 1,5 А
• 40
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 80