• Популярні
  • Час додавання
  • Ціна
Транзистор біполярний 2SAR544R

Транзистор біполярний 2SAR544R

4

Код: 628316

  • Біполярні PNP
  • Diotec
  • SMD
  • SOT23
  • 80 V
  • 2,5 А
  • 250
  • -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 80

В наявності

Транзистор IGBT NCE60TD60BT

Транзистор IGBT NCE60TD60BT

4

Код: 627731

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 120 А
  • 316 W
  • -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 262 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

В наявності

Транзистор біполярний MJE5742G

Транзистор біполярний MJE5742G

4

Код: 628412

  • Біполярні NPN
  • ONS
  • THT
  • TO-220
  • 400 V
  • 8 А
  • 400
  • -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 8 | Напруга колектор-база, В: 800

В наявності

Транзистор біполярний MJD3055

Транзистор біполярний MJD3055

4

Код: 628043

  • Біполярні NPN
  • ONS
  • SMD
  • TO-252(DPAK)
  • 60 V
  • 10 А
  • 20
  • -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 70

В наявності

Біполярний ВЧ транзистор BFP640ESDH6327XTSA1

В наявності

Біполярний ВЧ транзистор BFP196WH6327XTSA1

В наявності

Біполярний ВЧ транзистор BFP193WH6327XTSA1

В наявності

Біполярний ВЧ транзистор BFP183E7764HTSA1

В наявності

Транзистор Дарлінгтона BD677A

В наявності

Транзистор IGBT YGW40N120T3

Транзистор IGBT YGW40N120T3

4

Код: 627728

  • IGBT
  • LUXIN
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 80 А
  • 416 W
  • -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 260 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.75 | Час включення: 80ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT YGF15N65T2

Транзистор IGBT YGF15N65T2

5

Код: 627778

  • IGBT
  • LUXIN
  • THT
  • TO-220F
  • 650 V
  • 30 А
  • 30,6 W
  • -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 45 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5

В наявності

Транзистор біполярний NST3906DP6T5G

Транзистор біполярний NST3906DP6T5G

5

Код: 628130

  • Біполярні PNP
  • ONS
  • SMD
  • SOT963
  • 40 V
  • 0,2 А
  • 100
  • -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 40

В наявності

Транзистор біполярний NJL3281DG

Транзистор біполярний NJL3281DG

4

Код: 628249

  • Біполярні NPN
  • ONS
  • THT
  • TO-264-5
  • 260 V
  • 15 А
  • 75
  • -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 260

В наявності

Транзистор біполярний NJL0281DG

Транзистор біполярний NJL0281DG

4

Код: 628221

  • Біполярні NPN
  • ONS
  • THT
  • TO-264-5
  • 260 V
  • 15 А
  • 75
  • -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 260

В наявності

Транзистор біполярний MJL4281AG

Транзистор біполярний MJL4281AG

5

Код: 628222

  • Біполярні NPN
  • ONS
  • THT
  • TO-264
  • 350 V
  • 15 А
  • 250
  • -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 350

В наявності

Транзистор IGBT AOK40B60D1

Транзистор IGBT AOK40B60D1

5

Код: 627779

  • IGBT
  • AOS
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 40 А
  • 111 W
  • -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 45 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 29ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT AOK30B135W1

Транзистор IGBT AOK30B135W1

5

Код: 627811

  • IGBT
  • AOS
  • THT
  • TO-247
  • 1350 V
  • 30 А
  • 170 W
  • -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 62 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час виключення: 129ns

В наявності

Транзистор IGBT AOK20B60D1

Транзистор IGBT AOK20B60D1

4

Код: 627717

  • IGBT
  • AOS
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 20 А
  • 167 W
  • -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 24.6 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 20ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT AOK20B135D1

Транзистор IGBT AOK20B135D1

5

Код: 627818

  • IGBT
  • AOS
  • THT
  • TO-247
  • 1350 V
  • 20 А
  • 170 W
  • -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 66 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.57 | Час виключення: 156ns

В наявності

Транзистор біполярний ZTX653

Транзистор біполярний ZTX653

4

Код: 628068

  • Біполярні NPN
  • DIODES
  • THT
  • TO-92-3
  • 100 V
  • 2 А
  • 300
  • -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.23 | Напруга колектор-база, В: 120

В наявності

Транзистор IGBT IGP40N65H5XKSA1

Транзистор IGBT IGP40N65H5XKSA1

4

Код: 627863

  • IGBT
  • INFIN
  • THT
  • TO-220
  • 650 V
  • 74 А
  • 250 W
  • -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 95 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 22ns | Час...

В наявності

Транзистор біполярний MJE243G

Транзистор біполярний MJE243G

4

Код: 628389

  • Біполярні NPN
  • ONS
  • THT
  • TO-126
  • 100 V
  • 4 А
  • 40
  • -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 100

В наявності

Транзистор IGBT GT50JR21

Транзистор IGBT GT50JR21

5

Код: 627876

  • IGBT
  • TOS
  • THT
  • TO-3P[N]
  • 600 V
  • 50 А
  • 230 W
  • -55…+175°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 0.25us | Час виключення: 0.37us

В наявності

Транзистор IGBT GT50J328

Транзистор IGBT GT50J328

5

Код: 627879

  • IGBT
  • TOS
  • THT
  • TO-3P[N]
  • 600 V
  • 50 А
  • 140 W
  • -55...+150°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 0.3us | Час виключення: 0.4us

В наявності

Сторінка 82 з 245