Транзистор IGBT SGT75T65SDM1P7
Код: 627676
Особливості:
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 650 V
- 75 А
- 416 W
- -55...+150°C
- На складі
Примітка: Заряд затвора: 180 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 42ns
256 грн.
Спец. ціна 224 грн.В наявності
Характеристики
| Тип | IGBT |
|---|---|
| Бренд | Silan Microelectronics |
| Тип монтажу | THT |
| Корпус | TO-247 |
| Vce | 650 V |
| Струм | 75 А |
| Pd 25 | 416 W |
| Температурний діапазон | -55...+150°C |
| Наявність на складі | Так |
- Гарантія
- Кожен товар гарантовано надійде до покупця точно в обговорений термін
- Доставка
- Доставка товару будь-яким із зручних Вам запропонованих способів
- Повернення товару
- Повернення товару здійснюється протягом 14 днів після покупки, відповідно до чинного закону
- Оплата при отриманні товару
- Оплата проводиться під час отримання товару, післяплатою
Схожі товари
Питання та відгуки
Питань ще немає, але Ви можете бути першим
Відмічені поля * необхідно заповнити.