Транзистор IGBT SGT75T65SDM1P7
Код: 627676
Особенности:
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 650 V
- 75 А
- 416 W
- -55...+150°C
- На складе
Примечание: Заряд затвора: 180 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 42ns
256 грн.
Спец. цена 224 грн.В наличии
Характеристики
| Тип | IGBT |
|---|---|
| Бренд | Silan Microelectronics |
| Тип монтажа | THT |
| Корпус | TO-247 |
| Vce | 650 V |
| Ток | 75 А |
| Pd 25 | 416 W |
| Температурный диапазон | -55...+150°C |
| Наличие на складе | Да |
- Гарантия
- Каждый товар гарантировано поступит к покупателю точно в обговоренный срок
- Доставка
- Доставка товара любым из удобных Вам предложенных способов
- Возврат товара
- Возврат товара осуществляется в течение 14 дней после покупки, в соответствии с действующим законом
- Оплата при получении товара
- Оплата проводится во время получения товара, наложенным платежом
Похожие товары
Вопросы и отзывы
Вопросов еще нет, но Вы можете быть первым
Отмеченные поля * обязательны к заполнению.