Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 17

• Jilin Sino-Microelectronics.
• TO-3PB
• Біполярні NPN
• 400 V
• 700 V
• 15 А
• 9 V
• 4 MHz
• 120 Вт
• 10 - 50
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jilin Sino-Microelectronics.
• I-Pak
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 V
• 1.9 А
• 1.1 А
• 2 ... 4 V
• 44 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-92L
• Біполярні NPN
• 50 V
• 50 V
• 2 А
• 5 V
• 100 MHz
• 0.9 Вт
• 120 - 240
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-92
• Біполярні PNP
• 25 V
• 40 V
• 1,5 А
• 5 V
• 100 MHz
• 1 Вт
• 160 - 300
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-252-2L
• Біполярні NPN + Diode
• 100 V
• 100 V
• 2 А
• 5 V
• 25 MHz
• 1.75 Вт
• 1000 - 12000
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT89
• Біполярні PNP
• 50 V
• 50 V
• 2 А
• 5 V
• 100 MHz
• 0.5 Вт
• 120 - 240
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT89
• Біполярні PNP
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 50 MHz
• 0.5 Вт
• 160 - 320
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT89
• Біполярні NPN
• 50 V
• 50 V
• 2 А
• 6 V
• 200 MHz
• 0.5 Вт
• 180 - 390
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT89
• Біполярні NPN
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 50 MHz
• 0.5 Вт
• 160 - 320
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT-23
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 V
• 0.17 А
• 6 Ом
• 10 Ом
• 1 ... 2.8 V
• 0.35 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• International Rectifier
• DPAK
• Польові N-канальні
• 200 V
• 30 V
• 9.4 А
• 6.7 А
• 3 ... 5.5 V
• 86 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 600 V
• 20 А
• 40 А
• 20 V
• 41 / 176 нс
• 166 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 30 А
• 60 А
• 20 V
• 349 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 20 А
• 40 А
• 20 V
• 310 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 15 А
• 30 А
• 25 А
• 20 V
• 300 / 460 нс
• 235 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Infineon
• D2PAK
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 V
• 180 А
• 127 А
• 2 ... 4 V
• 375 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Hunteck
• TO-247
• Польові N-канальні
• 200 V
• 20 V
• 132 А
• 93 А
• 2 ... 4 V
• 3 V
• 429 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Huayi
• TO-220
• Польові N-канальні
• 80 V
• 25 V
• 200 А
• 144 А
• 2 ... 4 V
• 3 V
• 345 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Goodwork
• SOT-23
• Польові N-канальні
• 30 V
• 12 V
• 4 А
• 36 мОм
• 70 мОм
• 0.6 ... 1.4 V
• 0.11 Ом
• 1.2 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• FeiHong
• TO-220
• Біполярні NPN
• 400 V
• 700 V
• 8 А
• 9 V
• 4 MHz
• 80 Вт
• 15 - 25
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Fairchild
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 900 V
• 30 V
• 8 А
• 2.8 А
• 3 ... 5 V
• 68 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• DP
• TO-252
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 V
• 80 А
• 61 А
• 3.9 мОм
• 5.4 мОм
• 0.8 ... 1.8 V
• 1.3 V
• 75 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Anhui FOSAN Semiconductor Technology Co., Ltd.
• SOT89
• Біполярні PNP
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 50 MHz
• 0.5 Вт
• 60 - 400
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• SO8
• Польові P-канальні
• 30 V
• 25 V
• -4.9/-4.9А
• 80/80 мОм
• -1 ... -2 V
• -1.5 V
• 2 W

Примітка: Схема з'єднання: Незалежні