Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 17

• 5..40
• 12 A
• 100 Вт
• 700 V
• 400 V
• 9 V
• Біполярні NPN
• 4 МГц

• Інше

• Infineon
• Інше

• 0.2 A
• 0.3 Вт
• 180 V
• 160 V
• 6 V
• Diotec
• Біполярні 2NPN
• 300 МГц

• 250..600
• 0,5 A
• 0,25 Вт
• 50 V
• 45 V
• 5 V
• Nxp
• Біполярні PNP
• 80 МГц

• Diotec
• Інше

• 3 MHz
• 2.0 А
• 100 V
• 80 V
• TO-126
• THT
• Біполярні NPN

• 110
• 40 В
• 20 В
• ST Microelectronics

• 3.8
• 100 В
• 20 В
• On Semiconductor

• IGBT
• Не вказано

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 714 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 0.35 uC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 36ns | Час...

• Інше
• Не вказано
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 3 А
• 560
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.19 | Напруга колектор-база, В: 60

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 4 А
• 68 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 15.2 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 12ns | Час виключення: 86ns

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 298 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 60 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 6ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 12 А
• 88 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 42 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 9ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• TO-252-3
• 600 V
• 12 А
• 100 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 48 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 7ns | Час виключення:...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3P(N)
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 81.5 nC

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 100 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 18ns | Час...

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-18
• 45 V
• 0,2 А
• 180

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 84 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 1000 V
• 50 А
• 150 W
• -55...+150°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 0.33us | Час виключення: 0.70us

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 39
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 700