Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 15

• VG semi
• TO220
• Польові N-канальні
• 80 V
• 25 V
• 160 А
• 113 А
• 4.5 мОм
• 2.6 ... 3.6 V
• 3.1 V
• 259 Вт

• 0.5 A
• 50 V
• 45 V
• SOT-323
• THT
• Біполярні NPN

• 20 A
• 125 W
• 1.3 V
• 400 V
• Littelfuse
• D-Pak
• IGBT

• 30 W
• 40 В
• 20 В
• Vbsemi

• 120 A
• Crmicro
• TO-220
• 116 A
• 48 нс
• 75 нс
• 100 В
• 20 В
• 480 A
• 227 W
• 0,0033 Ohm
• Польові N-канальні

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 177

• 0.1 A
• Diotec Semiconductor
• TO-92
• 80 V
• 65 V
• 6 V
• 100 МГц
• 200..450
• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: MURATA | Корпус: SMD 0603 BLM18

• 180 A
• Crmicro
• TO-247
• 177 A
• 35 нс
• 84 нс
• 100 В
• 20 В
• 720 A
• 454 W
• 0,0031 Ohm

• Crmicro
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 100 А
• 100 А
• 20 V
• 428 W

Примітка: Схема з'єднання: Напівміст

• TO-92
• Біполярні NPN
• 45 V
• 50 V
• 0,1 А
• 5 V
• 150 MHz
• 0.45 Вт
• 200 - 600
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Vishay Intertechnology, Inc.
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 V
• 15 А
• 9.6 А
• 2 ... 4 V
• 34 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Umw
• D2PAK
• Польові N-канальні
• 60 V
• 20 V
• 50 А
• 33 А
• 12 мОм
• 16 Ом
• 1 ... 2.5 V
• 1.6 V
• 105 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• TooHong Korea
• TO-3PN
• Біполярні NPN
• 100 V
• 100 V
• 25 А
• 5 V
• 3 MHz
• 125 Вт
• 10 - 50
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• TooHong Korea
• TO-220
• Польові P-канальні
• 20 V
• 8 V
• -24 А
• 50 мОм
• -0.4 ... -1 V
• 75 мОм
• -0.7 V
• 60 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• TECHPUBLIC
• SO8
• Польові P-канальні
• 20 V
• 12 V
• -14 А
• -8.8 А
• 6.5 мОм
• -0.3 ... -1 V
• 9 мОм
• -0.6 V
• 2 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Sptech
• TO-3
• Біполярні NPN
• 250 V
• 400 V
• 16 А
• 5 V
• 4 MHz
• 250 Вт
• 15 - 60
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Sptech
• TO-220
• Біполярні NPN
• 250 V
• 250 V
• 8 А
• 5 V
• 30 MHz
• 50 Вт
• min 10
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Si-Tech
• TO-263
• Польові N-канальні
• 68 V
• 25 V
• 80 А
• 65 А
• 2.5 ... 3.5 V
• 176 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• REASUNOS
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 V
• 8 А
• 3 ... 4 V
• 30 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• TO-220
• Польові N-канальні
• 900 V
• 30 V
• 6 А
• 3.8 А
• 3 ... 5 V
• 167 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• 8-PQFN (5x6)
• Польові N-канальні
• 40 V
• 20 V
• 100 А
• 2 ... 4 V
• 104 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• NXP Semiconductors
• SOT223
• Біполярні PNP
• 20 V
• 32 V
• 2 А
• 5 V
• 140 MHz
• 1.35 Вт
• 160 - 375
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• NCE
• TO-220F
• IGBT + Diode
• 600 V
• 30 А
• 60 А
• 30 V
• 178 нс (тип)
• 35.5 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• MP
• TO-247
• IGBT + Diode
• 650 V
• 50 А
• 80 А
• 20 V
• 105 / 150 нс
• 300 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jilin Sino-Microelectronics.
• TO-3PB
• Біполярні NPN
• 400 V
• 700 V
• 15 А
• 9 V
• 4 MHz
• 120 Вт
• 10 - 50
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний