Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 15

• TooHong Korea
• TO-3PN
• Біполярні NPN
• 100 V
• 100 V
• 25 А
• 5 V
• 3 MHz
• 125 Вт
• 10 - 50
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• TooHong Korea
• TO-220
• Польові P-канальні
• 20 V
• 8 V
• -24 А
• 50 мОм
• -0.4 ... -1 V
• 75 мОм
• -0.7 V
• 60 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Sptech
• TO-3PN
• Біполярні NPN
• 400 V
• 50 V
• 25 А
• 7 V
• 20 MHz
• 160 Вт
• min 10
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Sptech
• TO-3
• Біполярні NPN
• 250 V
• 400 V
• 16 А
• 5 V
• 4 MHz
• 250 Вт
• 15 - 60
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Sptech
• TO-220
• Біполярні NPN
• 250 V
• 250 V
• 8 А
• 5 V
• 30 MHz
• 50 Вт
• min 10
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Sptech
• TO-220
• Біполярні NPN + Diode
• 300 V
• 450 V
• 6 А
• 6 V
• 40 Вт
• min 500
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Si-Tech
• TO-263
• Польові N-канальні
• 68 V
• 25 V
• 80 А
• 65 А
• 2.5 ... 3.5 V
• 176 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Si-Tech
• TO-220
• Польові N-канальні
• 70 V
• 25 V
• 90 А
• 57 А
• 2.4 ... 3.6 V
• 3 V
• 127 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• SINOPWER
• DFN5x6A-8_EP
• Польові P-канальні
• 30 V
• 25 V
• -100 А
• -76 А
• 2.9 мОм
• 5 мОм
• -1.3 ... -2.3 V
• -1.8 V
• 78 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Silan
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 V
• 2 А
• 1.3 А
• 2 ... 4 V
• 23 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• NXP Semiconductors
• SOT223
• Біполярні PNP
• 20 V
• 32 V
• 2 А
• 5 V
• 140 MHz
• 1.35 Вт
• 160 - 375
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• NCE
• TO-220F
• IGBT + Diode
• 600 V
• 30 А
• 60 А
• 30 V
• 178 нс (тип)
• 35.5 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jilin Sino-Microelectronics.
• TO-3PB
• Біполярні NPN
• 400 V
• 700 V
• 15 А
• 9 V
• 4 MHz
• 120 Вт
• 10 - 50
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jilin Sino-Microelectronics.
• TO-220
• Біполярні NPN + Diode
• 400 V
• 700 V
• 4 А
• 9 V
• 4 MHz
• 75 Вт
• min 5
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jilin Sino-Microelectronics.
• I-Pak
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 V
• 1.9 А
• 1.1 А
• 2 ... 4 V
• 44 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-92L
• Біполярні PNP
• 50 V
• 50 V
• 2 А
• 5 V
• 100 MHz
• 0.9 Вт
• 120 - 240
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT89
• Біполярні NPN
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 50 MHz
• 0.5 Вт
• 160 - 320
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT223
• Біполярні PNP
• 80 V
• 100 V
• 1 А
• 5 V
• 100 MHz
• 1.5 Вт
• 100 - 250
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• International Rectifier
• DPAK
• Польові N-канальні
• 200 V
• 30 V
• 9.4 А
• 6.7 А
• 3 ... 5.5 V
• 86 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• International Rectifier
• D2PAK
• Польові P-канальні
• 100 V
• 20 V
• -23 А
• -14 А
• -2 ... -4 V
• 110 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 600 V
• 20 А
• 40 А
• 20 V
• 41 / 176 нс
• 166 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 30 А
• 60 А
• 20 V
• 349 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 20 А
• 40 А
• 20 V
• 310 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 15 А
• 30 А
• 25 А
• 20 V
• 300 / 460 нс
• 235 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний