Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 16

• Fairchild
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 V
• 4 А
• 2.4 А
• 3 ... 5 V
• 28 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Crmicro
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 V
• 31 А
• 20 А
• 2.9 ... 4.9 V
• 26 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• MT
• SO8
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 V
• 5/-5 А
• 20/30 мОм
• 28/48 мОм
• 1 ... 3 V
• 2.5 W

Примітка: Схема з'єднання: Незалежні

• 100 MHz
• 0.8 A
• 50 V
• 45 V
• Lge
• TO-92
• THT
• Біполярні NPN

• 100 MHz
• 0.5 A
• 50 V
• 45 V
• SOT-23
• Біполярні PNP

• 100 MHz
• 120
• 1.5 A
• 40 V
• 25 V
• Fairchild
• TO-92
• SMD
• Біполярні NPN

• 200 А
• 50 A
• 100 A
• 437 Вт
• Jsmicro
• 20.2 н
• 35 нс
• 134 нс
• є
• IGBT

• Інше

• 120..260
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 50 V
• 45 V
• 5 V
• Nxp
• Біполярні PNP
• 100 МГц

• 300
• 0,6 A
• 0,625 Вт
• 40 V
• 40 V
• 5 V
• Luguang Electronic
• Біполярні PNP
• 200 МГц

• On Semiconductor
• Інше

• Інше

Примітка: Тип каналу N | Напруга пробою сток-витік (Ubrdss), 600 | Максимальний струм сток-витік при 25 ° С (Id), А 9 | Максимальний струм сток-витік...

• Інше

• 0.2 A
• 0.3 Вт
• 180 V
• 160 V
• 6 V
• Diotec
• Біполярні 2NPN
• 300 МГц

• 3 A
• 60 V
• 50 V
• Jsmicro
• Біполярні NPN
• 210 МГц

• 250..600
• 0,5 A
• 0,25 Вт
• 50 V
• 45 V
• 5 V
• Nxp
• Біполярні PNP
• 80 МГц

• Diotec
• Інше

• 100..250
• 1.5 A
• 12,5 Вт
• 45 V
• 45 V
• 5 V
• Біполярні PNP
• 50 МГц

• 3 MHz
• 2.0 А
• 100 V
• 80 V
• TO-126
• THT
• Біполярні NPN

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 300 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 90 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 34 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 63 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 16ns | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 4 А
• 68 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 15.2 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 12ns | Час виключення: 86ns

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 298 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...