Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 19

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3P(N)
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 81.5 nC

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 100 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 18ns | Час...

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-18
• 45 V
• 0,2 А
• 180

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 84 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 1000 V
• 50 А
• 150 W
• -55...+150°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 0.33us | Час виключення: 0.70us

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 39
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 700

• ВЧ
• INFIN

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 40 V
• 0,6 А
• 375
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 75

• Біполярні PNP
• Rohm
• SMD
• MPT3
• 50 V
• 3 А
• 270
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 50

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 75 А
• 270 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 203 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 48ns | Час...

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 25 V
• 0,8 А
• 320
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 30

• Інше
• Rohm
• SMD
• SOT363
• 0,3 V
• 0,1 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-18
• 40 V
• 0,6 А
• 300
• …+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 35 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 55 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 30ns | Час виключення:...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 90 А
• 329 W
• …+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.75 | Час включення: 63ns | Час виключення: 142ns

• Біполярні NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT-23
• 60 V
• 0,5 А
• 0,25 W
• 2000

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 15
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 27
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• TO-220
• 800 V
• 4 А
• 40
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 1600

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 283 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 226 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 52ns | Час...

• Біполярні NPN
• ST
• SMD
• SO-16
• 50 V
• 0,5 А

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 100 V
• 8 А
• 80 W
• 20000

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 100

• Інше
• Nexperia
• SMD
• SOT363
• 50 V
• 0,1 А
• 80
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 40 V
• 0,1 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 40