Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 66

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 95 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 18ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-HSIP247-3-2
• 650 V
• 79 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 70 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 17ns | Час виключення: 124ns

• IGBT
• Mcc
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 306 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 160 nC | Час включення: 12ns | Час виключення: 124ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 83 А
• 210 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 159 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.29 | Час включення: 17ns | Час...

• Біполярні PNP
• ZTX
• THT
• TO-92-3
• 140 V
• 0,5 А
• 250
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 140

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 80 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 68 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 18ns | Час...

• Біполярні NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 32 V
• 0,1 А
• -65…+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.21 | Напруга колектор-база, В: 32

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• DPAK-3
• 600 V
• 6 А
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 12.5 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 60 А
• 480 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 225 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.3 | Час включення: 18ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 40 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 65 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 13ns | Час виключення:...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 650 V
• 60 А
• 238 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 54.7 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 14.4ns | Час...

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• IPAK-3
• 80 V
• 8 А
• 60
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1

• Біполярні PNP
• INFIN
• SMD
• SOT143
• 45 V
• 0,1 А
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• ST
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 3 А
• 80
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.18 | Напруга колектор-база, В: 80

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 120 А
• 333 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 79 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 20.8ns | Час...

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 0,8 А
• 400
• -55...+150°C

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 306 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 223 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.95 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1200 V
• 20 А
• 330 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 143 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час виключення: 359ns

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 65 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.65 | Напруга колектор-база, В: 80

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1200 V
• 100 А
• 652 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 235 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.75 | Час включення: 34ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 240 А
• 882 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 163 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 53ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 500 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 130 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 75ns | Час...

• Біполярні NPN
• Rohm
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 60 V
• 5 А
• …+150°C

Примітка: Напруга колектор-база, В: 100

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 180 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 40ns | Час...