Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 64

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 20 А
• 167 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 24.6 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 20ns | Час...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 20 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 66 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.57 | Час виключення: 156ns

• Біполярні NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 100 V
• 2 А
• 300
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.23 | Напруга колектор-база, В: 120

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 95 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 22ns | Час...

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 40
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 100

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 1000 V
• 50 А
• 150 W
• -55...+150°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 0.33us | Час виключення: 0.70us

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 50 А
• 230 W
• -55…+175°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 0.25us | Час виключення: 0.37us

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 50 А
• 140 W
• -55...+150°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 0.3us | Час виключення: 0.4us

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 600 V
• 80А

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PL
• 600 V
• 50 А
• 130 W
• …+150°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 39
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 700

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.95 | Час включення: 16ns | Час...

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 120 V
• 8 А
• 40
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 80 V
• 0,5 А
• 100
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 6 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.21 | Напруга колектор-база, В: 150

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 278 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 141.2 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 48ns | Час виключення: 200ns

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 210 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 45ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 190 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 115 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 100 А
• 350 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 125 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 85ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 417 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 250 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 85ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 180 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 40ns | Час...

• Біполярні PNP
• ST
• SMD
• SOT23
• 500 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 500

• Біполярні NPN
• Rohm
• SMD
• SOT323
• 11 V
• 0,05 А
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 20

• ВЧ
• Nxp