Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 63

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 270 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 37 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.4 | Час включення: 23ns | Час виключення:...

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 270 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 39 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 23ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 53 А
• 200 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 130 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 15ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.95 | Час включення: 17ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.95 | Час включення: 17ns | Час виключення: 194ns

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 300 V
• 0,5 А
• 40
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 300

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 80 V
• 0,1 А
• 100
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-126
• 80 V
• 1,5 А
• 40
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-18
• 45 V
• 0,2 А
• 180

• Біполярні PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 80 V
• 2,5 А
• 250
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 80

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 600 V
• 120 А
• 316 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 262 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 400
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 8 | Напруга колектор-база, В: 800

• ВЧ
• INFIN

• ВЧ
• INFIN

• ВЧ
• INFIN

• ВЧ
• INFIN

• ВЧ
• INFIN

• Інше
• ST

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 416 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 260 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.75 | Час включення: 80ns | Час...

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT963
• 40 V
• 0,2 А
• 100
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-264-5
• 260 V
• 15 А
• 75
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 260

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-264-5
• 260 V
• 15 А
• 75
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 260

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-264
• 350 V
• 15 А
• 250
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 350

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 30 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 62 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час виключення: 129ns