Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 86

• Біполярні PNP
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,1 А
• -65…+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• 475
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• 475
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• INFIN
• SMD
• SOT363
• 65 V
• 0,1 А
• 630
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• NEX-NXP
• SMD
• SC70-3
• 65 V
• 0,1 А
• 475
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 65 V
• 0,1 А
• 250
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 45 V
• 0,1 А
• 450
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 65 V
• 0,1 А
• 330
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 65 V
• 0,1 А
• 220
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 450
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 65 V
• 0,1 А
• 330
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 25 V
• 0,8 А
• 630
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,8 А
• 630
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 30 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 141 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 20ns | Час виключення: 250ns

• Інше
• MIT

• Інше
• MIT

• Інше
• MIT

• Інше
• ALD

• Інше
• ALD

• Біполярні NPN
• Isc
• THT
• 1500 V
• 5 А
• 40
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 1500

• Біполярні NPN
• HIT
• THT
• TO-220
• 120 V
• 6 А
• 20000
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 120