Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 78

• Біполярні NPN
• Fair
• SMD
• SOT-23
• 30 V
• 0,3 А
• 0,35 W
• 5000

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-3
• 140 V
• 16 А
• 40
• -65…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.4 | Напруга колектор-база, В: 160

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 40 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 15ns | Час виключення:...

• Біполярні PNP
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,2 А
• -65…+150°C

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• D2PAK
• 400 V
• 21 А
• 150 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 17 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.58 | Час виключення: 4.8us

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 11 А
• 28 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 34.4 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 22.5ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 130 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 53 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 25ns | Час виключення:...

• Інше
• INFIN
• SMD
• SOT363
• 70 V
• 0,1 А
• …+150°C

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT883
• 45 V
• 0,1 А
• 450
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 8
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 700

• Біполярні NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 70
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Fair
• THT
• TO-92-3FORM
• 80 V
• 1 А
• 250
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 150 V
• 1,5 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5

• Інше
• ST
• THT
• DIP-16
• 80 V
• 1,75 А
• -20...+85°C

• Біполярні PNP
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,2 А
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 300

• Біполярні NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,2 А
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,6 А
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга колектор-база, В: 75

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-274AA
• 600 V
• 240 А
• 750 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 240 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.05 | Час включення: 80ns | Час...

• Біполярні PNP
• INFIN
• SMD
• SOT323
• 50 V
• 0,1 А
• 70
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• INFIN
• SMD
• SOT363
• 50 V
• 0,1 А
• 70
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• …+150°C

• Біполярні NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 32 V
• 0,1 А
• 630
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 32

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-225
• 40 V
• 4 А
• 100
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 40