Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 44

• On Semiconductor
• TO-247
• IGBT + Diode
• 600 V
• 50 А
• 100 А
• 20 V
• 85 нс (тип)
• 223 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• TO-247
• IGBT + Diode
• 600 V
• 40 А
• 20 А
• 80 А
• 40 А
• 20 V
• 45 / 140 нс
• 290 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• TO-247
• IGBT + Diode
• 600 V
• 40 А
• 15 А
• 80 А
• 20 V
• 61 / 125 нс
• 290 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• TO-220F
• Біполярні NPN
• 400 V
• 700 V
• 12 А
• 9 V
• 4 MHz
• 50 Вт
• 15 - 28
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• TO-220F
• IGBT + Diode
• 600 V
• 15 А
• 30 А
• 15 А
• 20 V
• 82.4 / 142 нс
• 42 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• TO-220F
• IGBT + Diode
• 600 V
• 10 А
• 20 А
• 10 А
• 20 V
• 70 нс (тип)
• 40 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• TO-220
• Польові N-канальні
• 900 V
• 30 V
• 6 А
• 3.8 А
• 3 ... 5 V
• 167 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• TO-220
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 V
• 61 А
• 43 А
• 2 ... 4 V
• 150 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• TO-220
• Біполярні PNP
• 80 V
• 80 V
• 10 А
• 5 V
• 40 MHz
• 70 Вт
• min 40
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• TO-220
• Біполярні PNP
• 100 V
• 100 V
• 6 А
• 5 V
• 3 MHz
• 65 Вт
• min 15
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• TO-220
• Біполярні NPN + Diode
• 100 V
• 100 V
• 15 А
• 5 V
• 4 MHz
• 85 Вт
• min 250
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• SOT89
• Біполярні NPN
• 30 V
• 40 V
• 0,3 А
• 2 V
• 3.5 ГГц
• 1.3 Вт
• 90 - 180
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• SOT223
• Біполярні PNP
• 300 V
• 300 V
• 0,5 А
• 5 V
• 50 MHz
• 1.5 Вт
• min 25
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• SO-8 FL
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 V
• 79 А
• 50 А
• 2.9 мОм
• 3.9 мОм
• 1.2 ... 2.2 V
• 1.6 V
• 43 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• SO-8 FL
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 V
• 38 А
• 24 А
• 5.7 мОм
• 9.2 мОм
• 1.32 ... 2.2 V
• 1.6 V
• 20.8 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• DPAK
• Польові N-канальні
• 25 V
• 20 V
• 45 А
• 12.6 мОм
• 19 мОм
• 1 ... 2 V
• 1.7 V
• 50 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• DPAK
• Польові N-канальні
• 20 V
• 8 V
• 21 А
• 32 мОм
• 0.4 ... 1.2 V
• 47 мОм
• 0.9 V
• 33 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• DPAK
• Біполярні PNP
• 50 V
• 50 V
• 10 А
• 6 V
• 130 MHz
• 20 Вт
• 200 - 560
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• DPAK
• Біполярні PNP
• 300 V
• 300 V
• 0,5 А
• 3 V
• 10 MHz
• 15 Вт
• 30 - 240
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• DPAK
• Біполярні NPN
• 300 V
• 300 V
• 0,5 А
• 3 V
• 10 MHz
• 15 Вт
• 30 - 240
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• 8-PQFN (5x6)
• Польові N-канальні
• 40 V
• 20 V
• 100 А
• 2 ... 4 V
• 104 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• NXP Semiconductors
• SOT323
• Польові N-канальні
• 60 V
• 20 V
• 0.31 А
• 1.1 ... 2.4 V
• 1.75 V
• 0.26 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• NCE
• TO-263-2
• Польові N-канальні
• 200 V
• 20 V
• 100 А
• 70.7 А
• 2.5 ... 4.5 V
• 300 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• NCE
• TO-247P
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 75 А
• 150 А
• 30 V
• 126 нс (тип)
• 883 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний