Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 228

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-252-2L
• Біполярні NPN + Diode
• 100 V
• 100 V
• 2 А
• 5 V
• 25 MHz
• 1.75 Вт
• 1000 - 12000
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 349 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 27ns | Час...

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 120 V
• 0,05 А
• 800
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 120

• DIODES
• SOT-23
• SMD
• Польові P-канальні
• 20 V
• 8 В
• 4,3 A
• 45 mOhm
• 800 mW
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 1V / 250µA | Ємність затвора: 634 pF / 10 V | Заряд затвора: 6.8 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг...

• ST Microelectronics
• Польові N-канальні
• 35 A
• 50 A
• 100 В
• 150 W
• 20 В
• 200 A
• 46,5

• A&O
• Польові P-канальні
• 21,5 A
• 34 A
• 60 В
• 31 W
• 25 В
• 95 A
• 21

• Infineon
• Польові N-канальні
• 269 A
• 75 В
• 375 W
• 20 В
• 285

• Біполярні PNP
• Infineon
• SOT-23
• 100 MHz
• 32 V
• 32 V
• 0.2 A
• 630

• Польові N-канальні
• ST
• TO-220FP
• 900 V
• THT
• 5.8 A

• SILIUP
• TO247
• Польові N-канальні
• 250 V
• 20 V
• 160 А
• 107 А
• 10 мОм
• 3 ... 5 V
• 4 V
• 445 Вт

• 4.7 A
• 490
• 20 V
• SOT-23
• SMD
• Польові N-канальні

• 1.5 A
• 700 V
• 700 V
• ST
• TO-92
• THT
• Біполярні NPN

• 15 A
• Crmicro
• CDIL
• 100 V
• 60 V
• 7 V
• 2.5 МГц
• 20..70
• Біполярні NPN

• On Semiconductor
• TO-220
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 V
• 9.5 А
• 5.7 А
• 2 ... 4 V
• 156 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• NCE
• TOLL
• Польові N-канальні
• 85 V
• 20 V
• 320 А
• 245 А
• 2 ... 4 V
• 3 V
• 380 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• LRC
• SOT-23
• Польові N-канальні
• 50 V
• 20 V
• 0.2 А
• 3.5 Ом
• 6 Ом
• 0.5 ... 1.5 V
• 0.225 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT-23
• Біполярні NPN
• 50 V
• 50 V
• 50 мА
• 250 MHz
• 0.2 Вт
• min 30
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• International Rectifier
• TO-220
• IGBT + Diode
• 600 V
• 19 А
• 35 А
• 20 V
• 90 нс (тип)
• 156 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Infineon
• TO-247
• Польові N-канальні
• 200 V
• 20 V
• 182 А
• 129 А
• 2 ... 4 V
• 556 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 600 V
• 39 А
• 45 А
• 20 V
• 143 / 225 нс
• 187 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Hunteck
• TO-247
• Польові N-канальні
• 200 V
• 20 V
• 132 А
• 93 А
• 2 ... 4 V
• 3 V
• 429 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Huayi
• TO-220
• Польові N-канальні
• 60 V
• 20 V
• 160 А
• 113 А
• 2.5 мОм
• 3.7 мОм
• 1 ... 3 V
• 2.1 V
• 125 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• FeiHong
• TO-3PN
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 V
• 40 А

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• DP
• TO-252
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 V
• 80 А
• 61 А
• 3.9 мОм
• 5.4 мОм
• 0.8 ... 1.8 V
• 1.3 V
• 75 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний