Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 225

• Sptech
• TO-3PN
• Біполярні PNP+Di
• 100 V
• 100 V
• 10 А
• 5 V
• 125 Вт
• min 1000
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• On Semiconductor
• TO-220
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 V
• 9.5 А
• 5.7 А
• 2 ... 4 V
• 156 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• NCE
• TOLL
• Польові N-канальні
• 85 V
• 20 V
• 320 А
• 245 А
• 2 ... 4 V
• 3 V
• 380 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• NCE
• TO-247
• IGBT + Diode
• 600 V
• 30 А
• 60 А
• 30 V
• 178 нс (тип)
• 183 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-92S
• Біполярні NPN
• 50 V
• 50 V
• 50 мА
• 250 MHz
• 0.3 Вт
• min 30
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Huayi
• TOLL-8L
• Польові N-канальні
• 40 V
• 20 V
• 600 А
• 424 А
• 0.45 мОм
• 0.61 мОм
• 1.3 ... 2.4 V
• 1.8 V
• 428 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Huayi
• TO-220
• Польові N-канальні
• 60 V
• 20 V
• 160 А
• 113 А
• 2.5 мОм
• 3.7 мОм
• 1 ... 3 V
• 2.1 V
• 125 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• FeiHong
• TO-3PN
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 V
• 40 А

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Crmicro
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 V
• 18 А
• 11 А
• 2 ... 4 V
• 42.8 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Alpha&Omega
• TO-220F
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 V
• 27 А
• 17 А
• 2.5 ... 4 V
• 3.3 V
• 50 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• AGM-Semi
• TO-252-2L
• Польові N-канальні
• 40 V
• 20 V
• 120 А
• 72 А
• 2.7 мОм
• 3.4 мОм
• 1.1 ... 2.3 V
• 1.5 V
• 105 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
• SO8
• Польові N-канальні
• 60 V
• 20 V
• 4.5/4.5 А
• 4/4 А
• 42 / 42 мОм
• 55/55 мОм
• 1 ... 2.5 V
• 1.5 V
• 2 W

Примітка: Схема з'єднання: Незалежні

• 27.8
• 60 В
• 20 В
• BRIDGELUX

• 0.1 A
• 12 V
• TO-92
• SMD
• Біполярні NPN

• Інше

• 120 А
• 40 A
• 80 A
• 120 А
• 394 Вт
• 1,55 V
• 1200 V
• Infineon
• 50 нс
• 218 нс
• є
• IGBT

Примітка: Напруга колектор емітер (UCES), 1200 | Максимально допустимий струм колектора при 25 ° С (Ic), А 80 | Максимально допустимий струм...

• Інше

Примітка: Тип монтажу SMD Тип каналу N | Напруга пробою сток-витік (Ubrdss), 100 | Максимально допустима напруга затвор-витік (Ugs max), 20 |...

• 8..40
• 1,5 A
• 20 Вт
• 700 V
• 400 V
• 9 V
• ST Microelectronics
• Біполярні NPN

• Інше
• Jscj

• Інше
• TOS

• Біполярні PNP
• Rohm
• SMD
• SC-96
• 60 V
• 2 А
• 120
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 60

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247AA[SUPER]
• 1200 V
• 200 А
• 1071 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 743 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• SUPER247
• 1200 V
• 100 А
• 652 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 235 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 34ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 1200 V
• 150 А
• 880 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 530 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 34ns | Час...